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기판; 상기 기판의 일면에 위치된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 일면에 위치된 절연체; 상기 절연체 일면에 위치된 활성층; 상기 활성층 일면에 위치된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 픽셀부를 포함하는 2-트랜지스터 및 1-커패시터 타입 박막 트랜지스터 소자로서, 상기 2-트랜지스터는 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터로 이루어지고, 상기 트랜지스터 중 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극과 구동 트랜지스터의 게이트 전극이 인터커넥션부(interconnection)로 연결되고,상기 픽셀부는 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 상기 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극은 단락 방지를 위하여, 상기 전극들을 소정의 거리로 이격시키는 전극 분리부(electrode separation)를 포함하는, 박막 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 인터커넥션부는 U자 형태인, 박막 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 인터커넥션부는, 네거티브형 포토 레지스트가 도포되고, 백플레인(backplane) UV 노광을 통하여, 상기 인터커낵션부가 위치한 부분의 포토 레지스트만 남기고, 나머지 부분의 포토 레지스트를 제거하여 제작되는, 박막 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 기판은 글래스, PEN(Polyethylenenapthalate), PI(polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함하는, 박막 트랜지스터 소자
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제2항에 있어서,상기 U자 형태의 인터커넥션부의 하나의 팔은 상기 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되고, 나머지 하나의 팔은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되는, 박막 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 전극 분리부는 상기 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극 간의 단락을 방지하는, 박막 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 소자는 바텀 게이트(bottom gate) 구조인, 박막 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 소자는 상기 픽셀부에 OLED가 배치된, 박막 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 소자는 OLED 디스플레이 구동용인, 박막 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 소자는 플렉서블 OLED 디스플레이 스위칭용인, 박막 트랜지스터 소자
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롤투롤 임프린트 리소그래피 공정을 이용하는 박막 트랜지스터 소자의 제조방법으로서,기판의 일면에 게이트 전극, 절연체, 활성층, 소스 및 드레인 전극을 적층하고, 레진을 코팅한 후, 몰드를 이용하여 임프린트하여 멀티스텝 레진을 형성하는 제1 단계;상기 임프린트된 멀티스텝 레진 중 제1 스텝 레진을 애싱하여 픽셀부 및 인터커넥션부를 노출시키고, 에칭하는 제2 단계;ITO를 적층하고, 네거티브 포토 레지스트를 도포한 후, 백사이드 노광을 실시하는 제3 단계;제2 스텝 레진을 애싱하고, 노출된 박막층을 에칭하는 제4 단계;제3 스텝 레진을 애싱하고, 에칭하여 게이트 전극을 노출시키는 제5 단계;제4 스텝 레진을 애싱하고, 에칭하여 채널을 형성하는 제6 단계;제5 스텝 레진을 애싱하여 전극들을 노출시키는 제7 단계; 및패시베이션 막을 증착하고, 네거티브 포토 레지스트를 도포한 후, 백사이드 노광하여 픽셀부 및 인터커넥션부에 도포된 포토 레지스터를 제거하는 제8 단계;를 포함하는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 스텝 레진은 픽셀부 및 인터커넥션부를 덮고 있는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제2 스텝 레진은 상기 제1 스텝 레진과 단차가 존재하며 픽셀부 주위를 덮고 있는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제3 스텝 레진은 게이트 전극을 덮고 있는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제4 스텝 레진은 채널층을 덮고 있는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 제1 단계는, 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극과 구동 트랜지스터의 게이트 전극이 인터커넥션부(interconnection)로 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극은 단락방지를 위하여, 상기 전극들을 소정의 거리로 이격시키는 전극 분리부(electrode separation)가 포함되도록 적층되는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 단계에서, 상기 소자의 구성요소는 스퍼터링 및/또는 PECVD(lasma-enhanced chemical vapor deposition)에 의하여 적층하는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 레진은 폴리머 계열인, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 몰드는 3D 형상인, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제3 단계는, 기판을 투과한 UV에 의하여 픽셀부 및 인터커넥션부의 포토 레지스트가 경화되는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제3 단계는, 상기 픽셀부 및 인터커넥션부의 포토 레지스트 이외의 포토 레지스트는 경화되지 않고 현상되어 제거되는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제8 단계 후, 상기 픽셀부에 OLED를 증착하는 제9 단계를 추가로 포함하는, 박막 트랜지스터 소자의 제조방법
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