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기판, 상기 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비하고,상기 게이트 절연막은 SiO2보다 높은 유전율을 가지는 Al2-XYXO3 (x는 0
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제1항에 있어서,상기 x는 1 내지 1
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제1항에 있어서,상기 x는 1
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 30 nm 내지 40 nm의 두께를 갖는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 InZnO, InGaZnO, ZnO, ZnSnO, InSnO, InZnSnO, HfInZnO, ZrZnSnO 및 HfZnSnO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 박막 트랜지스터
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기판, 상기 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서,A 전구체 및 B 전구체를 분산매에 혼합하여 게이트 절연막 용액을 제조하는 단계;상기 게이트 절연막 용액을 상기 게이트 전극 또는 상기 반도체층 상에 도포하는 단계; 및도포된 상기 게이트 절연막 용액을 열처리하여 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 절연막은 A2-XBXO3인 삼성분계 고유전체 물질이고,상기 A는 알루미늄이고, 상기 B는 이트륨인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 A 전구체 및 B 전구체는 금속 질산염 함수화물인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 분산매는 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 디메틸포름아마이드, 에탄올, 탈이온수, 메탄올, 아세틸아세톤 및 아세토니트릴 중 선택된 어느 하나 이상인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 A 전구체에 1몰에 대한 B 전구체의 몰 비율은 0
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제8항에 있어서,상기 A 전구체에 1몰에 대한 B 전구체의 몰 비율은 1 내지 10인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 A 전구체에 1몰에 대한 B 전구체의 몰 비율은 8 내지 10인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 게이트 절연막 용액을 상기 게이트 전극 또는 상기 반도체층 상에 도포하는 단계는 스핀 코팅, 바 코팅, 딥 코팅, 나노 임프린트 및 잉크젯 프린팅 중 하나를 이용하여 도포하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서,도포된 상기 게이트 절연막 용액을 열처리하는 단계는,250℃ 내지 400℃의 온도에서 열처리 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서,도포된 상기 게이트 절연막 용액을 열처리하는 단계는,열처리와 동시에 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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