맞춤기술찾기

이전대상기술

용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법 및 이로부터 제조된 수소생산용 광전극

  • 기술번호 : KST2019019331
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법 및 이로부터 제조된 수소생산용 광전극에 관한 것으로 (a) RF 및 DC 스퍼터링을 이용하여 전도성 유리 기판상에 CdS 박막 및 Bi 박막을 증착시키는 단계; (b) 제1 용매와 황을 혼합하여 황-혼합용액을 얻는 단계; (c) 제1 카드뮴 전구체 및 계면활성제를 3구 플라스크 내에서 제2 용매 및 제3 용매와 혼합하고 가열한 후 (a)단계에서 준비된 기판을 장입하고 (b)단계에서 준비된 황-혼합용액을 주입하여 반응시킨 후, 냉각시키는 단계; (d) 상기 황화카드뮴 나노선이 성장한 기판을 제4 용매를 이용하여 세척 후 건조하여 황화카드뮴 나노선이 성장한 기판을 얻는 단계; (e) 제2 카드뮴 전구체를 제5 용매와 상온에서 농도에 맞추어 혼합 후 (d) 단계에서 준비된 황화카드뮴 나노선 광전극을 장입 후 꺼내는 단계; 및 (f) 상기 (e)단계에서 준비된 황화카드뮴 나노선을 열처리하여 산화카드뮴 쉘을 형성하여 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조 광전극을 얻는 단계;를 포함하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법 및 이로부터 제조된 수소생산용 광전극을 제공한다.
Int. CL C25B 11/04 (2006.01.01) C25B 11/02 (2006.01.01) C25B 1/00 (2006.01.01) C25B 1/04 (2006.01.01) C01G 11/00 (2006.01.01) C01G 11/02 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01)
출원번호/일자 1020180038026 (2018.04.02)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0115236 (2019.10.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.02)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성윤모 경기도 성남시 분당구
2 조기현 경기도 부천시
3 이주원 서울특별시 중랑구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)
3 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0324698-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0104684-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0714928-52
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1178119-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1178111-26
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2019.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0898308-24
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2020-0121134-42
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0121119-67
11 등록결정서
Decision to grant
2020.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0110061-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법으로,(a) RF스퍼터링을 이용하여 전도성 유리기판 상에 CdS 박막을 형성한 후, DC 스퍼터링을 이용하여 Bi 박막을 형성하는 단계;(b) 제1 용매와 황을 혼합하여 황-혼합용액을 얻는 단계;(c) 제1 카드뮴 전구체 및 계면활성제를 3구 플라스크 내에서 제2 용매 및 제3 용매와 혼합하고 가열한 후 (a)단계에서 준비된 기판을 장입하고 (b)단계에서 준비된 황-혼합용액을 주입하여 반응시킨 후, 냉각시키는 단계;(d) 황화카드뮴 나노선이 성장한 기판을 제4 용매를 이용하여 세척 후 건조하여 황화카드뮴 나노선이 성장한 기판을 얻는 단계;(e) 제2 카드뮴 전구체를 제5 용매와 상온에서 농도에 맞추어 혼합 후 (d) 단계에서 준비된 황화카드뮴 나노선 광전극을 장입 후 꺼내는 단계; 및(f) 상기 (e)단계에서 준비된 황화카드뮴 나노선을 열처리하여 산화카드뮴 쉘을 형성하여 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조 광전극을 얻는 단계;를 포함하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a)단계에서 전도성 유리 기판은 표면에 FTO, AZO, ITO 중 어느 하나가 코팅된 Soda-lime glass인 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b)단계에서 제1 용매는 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine: TOP), 트리에틸아미노포스핀(tridiethylaminophosphine: TDP) 및 트리부틸포스핀(tributylphophine: TBP)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (c)단계에서 상기 제1 카드뮴 전구체는 산화카드뮴, 아세트산 카드뮴, 질산카드뮴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종을 사용하고,상기 계면활성제는 헥사데실아민, 옥틸아민, 트라이옥틸아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 이의 혼합물이며,상기 제2 용매는 1-옥타데센 (1-octadecene), 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine: TOP) 및 올레아민(oleylamine)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 이의 혼합이며,상기 제3 용매는 올레산, 옥탄산, 테트라데실포스포닉산 및 스터릭 산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (c)단계에서 혼합된 용매를 150-350 ℃의 온도로 가열한 후, (a) 단계에서 기판을 장입하고 5초 이내에 황-혼합용액을 주입하여 5-15분 동안 반응시킨 후 상온으로 냉각시키는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (d)단계에서 제4 용매는 아세톤, 메탄올, 에탄올, 톨루엔 및 헥산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 혼합물인 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (e)단계에서 상기 제2 카드뮴 전구체는 아세트산 카드뮴, 질산카드뮴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종이며,상기 제5 용매는 탈이온수, 아세톤, 메탄올, 에탄올로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 혼합물인 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (f)단계에서 상기 열처리는 공기중에서 300-500 ℃로 열처리하는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한항의 제조방법으로 제조된 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극
10 10
제9항에 있어서,상기 황화카드뮴 나노선 코어는 직경이 10-20 nm이며, 상기 산화카드뮴 쉘의 두께가 1-10 nm인 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴/산화카드뮴 이종 나노선 구조를 갖는 수소생산용 광전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 개인기초연구(미래부) 저온 습식공정을 이용한 대면적 전도성 유리기판상에 고밀도 1차원 반도체 이종나노구조 구현