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기판;상기 기판 상에 형성되고 적어도 하나의 제 1 에피층을 포함하는 제 1 도전형의 제 1 웰층;상기 제 1 웰층에 연결된 제 1 전극;상기 제 1 웰층 상에 형성되고 적어도 하나의 제 2 에피층을 포함하는 제 2 도전형의 제 2 웰층;상기 제 2 웰층에 연결된 ？칭 저항; 및상기 ？칭 저항을 통해서 상기 제 2 웰층에 연결된 제 2 전극;을 포함하는,광증배소자
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2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 웰층 및 상기 제 2 웰층은 이온주입 공정을 이용하지 않고 에피택셜 증착 공정을 이용하여 형성되고,상기 제 1 웰층 및 상기 제 2 웰층은 플라즈마를 이용하지 않는 습식 식각을 이용하여 상기 기판 상에 메사 구조로 형성된,광증배소자
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3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극, 상기 ？칭 저항 및 상기 제 2 전극은 플라즈마 공정을 이용하지 않는 습식 식각을 이용하여 패터닝된,광증배소자
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4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 제 1 웰층 및 상기 기판 상에 공동으로 연결되도록 형성된,광증배소자
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5
제 1 항에 있어서,상기 ？칭 저항은 상기 제 2 웰층으로부터 상기 기판 상으로 연장되도록 형성되고,상기 제 2 전극은 상기 ？칭 저항의 상기 기판 상으로 연장된 부분 상에 형성된,광증배소자
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6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형은 N형이고, 상기 제 2 도전형은 P형이고, 상기 기판은 P형 기판이고,상기 제 1 웰층은,상기 기판 상의 N+ 에피층;상기 N+ 에피층 상의 N- 에피층;상기 N- 에피층 상의 No 에피층;을 포함하고,상기 제 2 웰층은 상기 No 에피층 상의 P+ 에피층을 포함하는,광증배소자
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7
제 6 항에 있어서,상기 N+ 에피층의 불순물 도핑 농도는 상기 No 에피층의 불순물 도핑 농도보다 크고,상기 No 에피층의 불순물 도핑 농도는 상기 N- 에피층의 불순물 도핑 농도보다 큰,광증배소자
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| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형은 P형이고, 상기 제 2 도전형은 N형이고, 상기 기판은 N형 기판이고,상기 제 1 웰층은,상기 기판 상의 P+ 에피층;상기 P+ 에피층 상의 P- 에피층;상기 P- 에피층 상의 Po 에피층;을 포함하고,상기 제 2 웰층은 상기 Po 에피층 상의 N+ 에피층을 포함하는,광증배소자
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9
제 8 항에 있어서,상기 P+ 에피층의 불순물 도핑 농도는 상기 Po 에피층의 불순물 도핑 농도보다 크고,상기 Po 에피층의 불순물 도핑 농도는 상기 P- 에피층의 불순물 도핑 농도보다 큰,광증배소자
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10
제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)을 포함하는,광증배소자
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11
기판 상에 적어도 하나의 제 1 에피층을 포함하는 제 1 도전형의 제 1 웰층을 형성하는 단계;상기 제 1 웰층 상에 적어도 하나의 제 2 에피층을 포함하는 제 2 도전형의 제 2 웰층을 형성하는 단계;상기 제 2 웰층에 연결된 ？칭 저항을 형성하는 단계; 및상기 제 1 웰층에 연결된 제 1 전극 및 상기 ？칭 저항을 통해서 상기 제 2 웰층에 연결된 제 2 전극;을 형성하는 단계;를 포함하는,광증배소자의 제조방법
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12
제 11 항에 있어서,상기 제 1 웰층을 형성하는 단계 및 상기 제 2 웰층을 형성하는 단계에서,상기 제 1 웰층 및 상기 제 2 웰층은 상기 기판 상에 메사 구조로 형성되고,상기 제 1 웰층 및 상기 제 2 웰층은 이온주입 공정을 이용하지 않고 에피택셜 증착 공정을 이용하여 형성하는,광증배소자의 제조방법
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13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 ？칭 저항을 형성하는 단계 및 상기 제 2 전극을 형성하는 단계는, 플라즈마를 이용하지 않는 습식 식각을 이용하여 패터닝 공정을 수행하는,광증배소자의 제조방법
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