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채널을 형성하는 트랜치를 포함하는 기판;상기 트랜치의 측면 각각에 배치되는 한 쌍의 전극;상기 한 쌍의 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 기판의 일면 상에 배치되는 배선; 및상기 채널을 커버하도록 상기 기판에 대향하여 배치되는 캡 층을 포함하는, 입자 계수를 위한 센싱 장치
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제1항에 있어서, 상기 기판은 무기물로 이루어진, 입자 계수를 위한 센싱 장치
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제2항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 기판은 절연막으로 코팅된, 입자 계수를 위한 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 한 쌍의 전극은 구리 또는 텅스텐으로 이루어진, 입자 계수를 위한 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 유체 시료를 주입하기 위한 인렛, 및 상기 유체 시료를 배출하기 위한 아웃렛을 포함하고,상기 채널은 상기 인렛 및 상기 아웃렛과 유체로 연통되는, 입자 계수를 위한 센싱 장치
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제5항에 있어서,상기 기판은 유체의 흐름을 제어하기 위한 흐름 제어 유체를 주입하기 위한 추가 인렛을 더 포함하는, 입자 계수를 위한 센싱 장치
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유체를 유동시키기 위한 채널과 전극이 배치되는 한 쌍의 비아를 가지는 기판;상기 한 쌍의 비아에 배치되는 한 쌍의 전극;상기 한 쌍의 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 기판의 일면 상에 배치되는 배선; 및상기 채널을 커버하도록 상기 기판의 다른 면 상에 배치되는 캡 층을 포함하는, 입자 계수를 위한 센싱 장치
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기판에 트랜치를 형성하는 단계;상기 기판의 트랜치를 금속으로 채우는 단계;상기 기판의 표면에 형성된 금속을 제거하는 단계;상기 금속과 전기적으로 연결되는 배선을 형성하는 단계; 상기 트랜치 내의 금속이 한 쌍의 전극을 형성하고, 상기 한 쌍의 전극 사이가 채널을 형성하도록, 상기 금속을 에칭하는 단계; 및상기 채널을 덮도록 캡층을 상기 기판 상에 배치하는 단계를 포함하는, 입자 계수를 위한 센싱 장치의 제조 방법
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기판에 두 개의 트랜치를 형성하는 단계;상기 기판의 두 개의 트랜치를 금속으로 채우는 단계;상기 기판의 일면에 형성된 금속을 제거하는 단계;상기 두 개의 트랜치가 두 개의 비아가 되도록, 상기 기판의 반대면에서 상기 채워진 금속을 노출하게 상기 기판의 반대면을 처리하는 단계;채널이 형성되도록 상기 두 개의 비아 사이의 기판 중 일부를 에칭으로 제거하는 단계;상기 채널의 반대편에 상기 금속과 전기적으로 연결되는 배선을 형성하는 단계; 상기 채널을 덮도록 캡층을 상기 기판 상에 배치하는 단계를 포함하는, 입자 계수를 위한 센싱 장치의 제조 방법
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