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기판;상기 기판 상에 배치된 표시 소자층; 및상기 표시 소자층 상에 배치된 보호층; 을 포함하고,상기 기판, 상기 표시 소자층, 및 상기 보호층 중 적어도 하나는 하기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제를 포함하는 표시 장치:[화학식 1]상기 화학식 1에서,a1은 1 이상 10 이하의 정수이고,Q는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고,R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다
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제 1항에 있어서,상기 기판, 및 상기 보호층은 각각 400nm 이상 800nm 이하의 파장 영역에서 투과도가 85% 이상인 표시 장치
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제 1항에 있어서,상기 표시 소자층은 서로 마주하는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하는 복수 개의 발광 소자들 및 이웃하는 상기 발광 소자들의 상기 제1 전극들 사이에 배치된 화소 정의막을 포함하고,상기 화소 정의막은 상기 광 흡수제를 포함하는 표시 장치
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제 3항에 있어서,상기 표시 소자층은 상기 제2 전극 상에 배치된 봉지층을 더 포함하고,상기 봉지층은 상기 광 흡수제를 포함하는 표시 장치
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제 1항에 있어서,상기 기판, 상기 표시 소자층, 및 상기 보호층 중 어느 하나는 상기 광 흡수제를 포함하고,상기 광 흡수제를 포함하는 상기 기판, 상기 표시 소자층, 또는 상기 보호층에서 상기 광 흡수제의 함량은 상기 기판, 상기 표시 소자층, 또는 상기 보호층의 전체 중량을 기준으로, 0
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제 1항에 있어서,상기 광 흡수제는 315nm 이상 400nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 표시 장치
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제 1항에 있어서,상기 광 흡수제는 315nm 이상 400nm 이하 파장 영역에서 흡광도의 최댓값이 0
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제 1항에 있어서,상기 광 흡수제는 350nm 이상 370nm 이하 파장 영역에서 흡광도의 최댓값을 갖는 표시 장치
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1은 Q를 기준으로 좌우 대칭인 표시 장치
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1에서, R1 및 R4는 동일하고, R2 및 R3은 동일한 표시 장치
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 20 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 20 이하의 헤테로 아릴기인 표시 장치
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1에서 Q는 하기 Q1 내지 Q9 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:상기 Q1 및 상기 Q2에서, n1 및 n2는 각각 독립적으로 1 이상 10 이하의 정수이고,상기 Q4 및 상기 Q5에서, R11 및 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이다
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A로 표시되는 표시 장치:[화학식 1-A]상기 화학식 1-A에서,R1 내지 R4, a1, 및 Q는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다
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하기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제:[화학식 1]상기 화학식 1에서,a1은 1 이상 10 이하의 정수이고,Q는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고,R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다
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제 14항에 있어서,자외선을 흡수하는 광 흡수제
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제 14항에 있어서,315 nm 이상 400 nm 이하 파장 영역에서 흡광도의 최댓값이 0
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제 14항에 있어서,상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 하기 R-1 내지 R-4 중 어느 하나로 표시되는 광 흡수제:상기 R-1 및 상기 R-2에서, m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 이상 10 이하의 정수이고,상기 R-3 및 상기 R-4에서, R21 및 R22는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이다
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제 14항에 있어서,상기 화학식 1은 Q를 기준으로 좌우 대칭인 광 흡수제
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제 14항에 있어서,상기 화학식 1에서 Q는 하기 Q1 내지 Q9 중 어느 하나로 표시되는 광 흡수제:상기 Q1 및 상기 Q2에서, n1 및 n2는 각각 독립적으로 1 이상 10 이하의 정수이고,상기 Q4 및 상기 Q5에서, R11 및 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이다
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제 14항에 있어서,상기 화학식 1은 하기 광 흡수제 1 또는 2로 표시되는 광 흡수제:
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