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제1 도전 영역 및 상기 제1 도전 영역과 수평으로 이격되어 배치된 제2 도전 영역을 구비한 실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 형성된 랜덤하게 배치된 복수의 금속 나노 입자들;상기 금속 나노 입자들을 덮는 무반사층;상기 무반사층을 관통하여 상기 제1 도전 영역에 연결되는 제1 콘택; 및상기 무반사층을 관통하여 상기 제2 도전 영역에 연결되는 제2 콘택을 포함하는 실리콘 포토다이오드
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제1 항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 금 또는 은이고,상기 금속 나노 입자들은 반구형이고,상기 금속 나노 입자들의 직경은 100 내지 200 nm에서 분포하고,상기 금속 나노 입자들의 필펙터는 15 내지 25 %인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토다이오드
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제1 항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 금 또는 은이고,상기 금속 나노 입자들은 반구형이고,상기 금속 나노 입자들의 직경은 200 내지 400 nm에서 분포하고,상기 금속 나노 입자들의 필펙터는 15 내지 25 %인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토다이오드
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제1 항에 있어서,상기 제1 도전 영역과 상기 제2 도전 영역은 상기 실리콘 기판의 일 표면을 접하도록 형성되고,상기 제1 도전 영역과 상기 제2 도전 영역 사이에 배치된 진성 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토다이오드
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실리콘 기판에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층이 형성된 상기 실리콘 기판 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성한 후 제1 도전형의 이온 주입을 수행하여 제1 도전 영역을 형성하는 단계;상기 버퍼층이 형성된 상기 실리콘 기판 상에 제1 도전 영역과 이격되게 제2 포토레지스 패턴을 형성한 후 제2 도전형의 이온 주입을 수행하여 제2 도전 영역을 형성하는 단계;상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역이 형성된 상기 실리콘 기판에 소수성 용액으로 상기 버퍼층을 제거하는 단계;상기 버퍼층이 제거된 상기 실리콘 기판 상에 아일렌드 형태의 금속막을 증착하는 단계;상기 금속막이 증착된 상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 금속막을 금속 나노 입자들로 변환하는 단계; 상기 금속 나노 입자들을 덮도록 상기 실리콘 기판 상에 무반사층을 형성하는 단계; 및상기 무반사층을 관통하여 상기 제1 도전 영역에 연결되는 제1 콘택 및 상기 무반사층을 관통하여 상기 제2 도전 영역에 연결되는 제2 콘택를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 포토다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 열처리는 진공 혹은 N2 분위기에서 상기 금속막의 융점 이하의 온도에서 수행되고,아일랜드 형태의 금속막 특성에 기인하여 낮은 융점을 갖게 되며,상기 열처리 온도(T)는 상기 금속막의 용융 온도 이하 섭씨 100 도(Tc -100) 내지 융융 온도(Tc)의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 금속막이 은인 경우, 상기 열처리는 섭씨 900도에서 수 분 내지 수 십분 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 금속막은 스터퍼링 방법으로 증착되고,상기 금속막의 두께는 수 nm 내지 수십 nm 이고,상기 금속막은 아일렌드 형태로 증착된인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 금 또는 은이고,상기 금속 나노 입자들은 반구형이고,상기 금속 나노 입자들의 직경은 100 nn 내지 200 nm의 범위에 분포하고,상기 금속 나노 입자들의 필펙터는 15 내지 25 %인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 금 또는 은이고,상기 금속 나노 입자들은 반구형이고,상기 금속 나노 입자들의 직경은 200 nn 내지 400 nm의 범위에 분포하고,상기 금속 나노 입자들의 필펙터는 15 내지 25 %인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토다이오드의 제조 방법
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제1 도전 영역 및 상기 제1 도전 영역과 수직 이격되어 배치된 제2 도전 영역을 구비한 실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 형성되고 상기 제1 도전 영역 상에 랜덤하게 배치된 복수의 금속 나노 입자들;상기 금속 나노 입자들을 덮는 무반사층;상기 무반사층을 관통하여 상기 제1 도전 영역에 연결되는 제1 콘택; 및상기 실리콘 기판의 상기 제2 도전 영역에 연결되는 제2 콘택을 포함하는 실리콘 포토다이오드
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