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텔루륨막들을 액티브층들로 구비하는 P형 멀티레벨 소자

  • 기술번호 : KST2022006624
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 P형 멀티레벨 소자를 제공한다. P형 멀티레벨 소자는 게이트 전극을 구비한다. 상기 게이트 전극에 중첩하는 제1 Te 액티브층, 제2 Te 액티브층, 및 상기 제1 Te 액티브층과 상기 제2 Te 액티브층을 분리하는 배리어층을 포함하고, 상기 제1 Te 액티브층과 상기 제2 Te 액티브층은 텔루륨 원소층인 액티브 구조체가 배치된다. 상기 액티브 구조체의 양측 단부들에 각각 전기적으로 접속하는 소오스 및 드레인 전극들이 배치된다. 상기 제1 Te 액티브층에 채널을 형성시키는 문턱 전압과 상기 제2 Te 액티브층에 채널을 형성시키는 문턱 전압은 서로 다른 값을 갖는다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/18 (2006.01.01) H01L 29/12 (2006.01.01) H01L 29/15 (2017.01.01) H01L 29/76 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210151404 (2021.11.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0061896 (2022.05.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200147167   |   2020.11.05
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.11.05)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성명모 서울특별시 서초구
2 유성호 서울특별시 성동구
3 김종찬 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2021-1278550-27
2 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2021.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2021-1319171-22
3 보정요구서
Request for Amendment		 2021.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0180063-43
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2022.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2022-0075378-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극;상기 게이트 전극에 중첩하는 제1 Te 액티브층, 제2 Te 액티브층, 및 상기 제1 Te 액티브층과 상기 제2 Te 액티브층을 분리하는 배리어층을 포함하고, 상기 제1 Te 액티브층과 상기 제2 Te 액티브층은 텔루륨 원소층인 액티브 구조체; 및상기 액티브 구조체의 양측 단부들에 각각 전기적으로 접속하는 소오스 및 드레인 전극들을 포함하되,상기 제1 Te 액티브층에 채널을 형성시키는 문턱 전압과 상기 제2 Te 액티브층에 채널을 형성시키는 문턱 전압은 서로 다른 값을 가지는 P형 멀티레벨 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 Te 액티브층과 상기 제2 Te 액티브층은 서로에 관계없이 3 내지 10nm의 두께를 갖는 P형 멀티레벨 소자
3 3
청구항 2에 있어서,상기 제1 Te 액티브층과 상기 제2 Te 액티브층은 서로에 관계없이 5 내지 7nm의 두께를 갖는 P형 멀티레벨 소자
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제1 Te 액티브층과 상기 제2 Te 액티브층 중 적어도 하나의 층은 비정질 매트릭스 내에 분산된 나노결정들을 갖는 P형 멀티레벨 소자
5 5
청구항 4에 있어서,상기 나노결정들은 3 내지 8nm의 직경을 갖는 P형 멀티레벨 소자
6 6
청구항 4에 있어서,상기 나노결정들 사이의 간격은 상기 나노결정의 직경 대비 작은 P형 멀티레벨 소자
7 7
청구항 4에 있어서,상기 나노결정들은 상기 제1 Te 액티브층 또는 상기 제2 Te 액티브층 내에서 해당 액티브층의 두께 방향으로 단일층으로 배열된 P형 멀티레벨 소자
8 8
청구항 1에 있어서,상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압이 음의 방향으로 커질 때,상기 제1 Te 액티브층에 채널이 형성된 후, 상기 제2 Te 액티브층에 채널이 형성되기 전에,상기 제1 Te 액티브층에 흐르는 전류는 포화되는 P형 멀티레벨 소자
9 9
청구항 1에 있어서,상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압이 음의 방향으로 커질 때,상기 게이트 전압에 대한 상기 액티브 구조체를 흐르는 전류의 비가 제1 기울기를 갖는 제1 게이트 전압 범위, 제1 기울기 대비 낮은 제2 기울기를 갖는 제2 게이트 전압 범위, 및 제2 기울기 대비 높은 제3 기울기를 갖는 제3 게이트 전압 범위로 구분되는 P형 멀티레벨 소자
10 10
청구항 9에 있어서,상기 제2 기울기는 0인 P형 멀티레벨 소자
11 11
청구항 1에 있어서,상기 배리어층은 제1 배리어층이고,상기 액티브 구조체는 상기 게이트 전극과 제1 Te 액티브층 사이에 배치된 제2 배리어층을 더 포함하여,상기 제1 Te 액티브층은 제1 배리어층과 제2 배리어층 사이에 개재되어 양자우물을 형성하는 P형 멀티레벨 소자
12 12
청구항 1에 있어서,상기 배리어층은 적어도 하나의 유기 단분자층을 구비하는 P형 멀티레벨 소자
13 13
청구항 1에 있어서,상기 배리어층이 둘 이상의 유기 단분자층들을 구비하는 경우에, 상기 유기 단분자층들 사이에 배치된 금속 원자층을 더 포함하는 P형 멀티레벨 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(2017Y) 한양대학교 원천기술개발사업 / 미래소재디스커버리사업 / 미래소재디스커버리사업 멀티레벨 금속 단원자층 아키텍처 소재 제조 및 특성 평가
2 과학기술정보통신부(2017Y) 한양대학교 이공분야기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 중견후속연구(연평균연구비 2억원~4억원이내) 높이제한 측면결정성장법과 원자층 침투법을 이용한 유기단결정/무기반도체 하이브리드 소재 개발