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기판;기판 상에 일방향으로 연장하는 직선 도파로;상기 직선 도파로 상에 제공되고 제 1 점 결함을 갖는 제 1 결합 층; 상기 제 1 점 결함에 인접하는 상기 제 1 결합 층 상에 제공되는 적어도 하나의 제 1 전극;상기 직선 도파로에 인접하여 상기 기판 상에 제공되는 링 도파로; 및상기 링 도파로 상에 제공되는 적어도 하나의 제 2 전극을 포함하는 단일 광자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,상기 링 도파로 상에 제공되고, 제 2 점 결함을 갖는 제 2 결합 층을 더 포함하는 단일 광자 광원 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 결합 층 및 상기 제 2 결합 층은 실리콘 탄화물을 포함하는 단일 광자 광원 소자
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 점 결함 및 상기 제 2 점 결함은 실리콘 궁핍, 이중 궁핍, 또는 탄소 안티싸이트 궁핍 쌍을 포함하는 단일 광자 광원 소자
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제 2 항에 있어서,상기 링 도파로 및 상기 제 2 결합 층은 원형의 모양을 갖는 단일 광자 광원 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 점 결함 및 상기 제 2 점 결함은 서로 인접하여 배치되는 단일 광자 광원 소자
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 제 1 점 결함의 일측에 제공되고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 점 결함의 타측에 제공되고, 상기 제 2 결합 층 및 상기 링 도파로 내에 배치되는 단일 광자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 결합 층은 배 모양을 갖는 단일 광자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,상기 직선 도파로 및 상기 링 도파로는 실리콘 또는 실리콘 질화물을 포함하는 단일 광자 광원 소자
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10
제 1 항에 있어서,상기 직선 도파로 및 상기 링 도파로 아래의 하부 클래드 층을 더 포함하되,상기 하부 클래드 층은 실리콘 산화물을 포함하는 단일 광자 광원 소자
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11
기판;상기 기판 상에 제공되는 하부 클래드 층;상기 하부 클래드 층에 제공되고, 일방향으로 연장하는 직선 도파로;상기 직선 도파로 상에 제공되고 제 1 점 결함을 갖는 제 1 결합 층;상기 직선 도파로에 인접하여 제공되고, 상기 하부 클래드 층 상에 배치되는 링 도파로; 및상기 링 도파로 상에 제공되고, 상기 제 1 점 결함에 인접한 제 2 점 결함을 갖는 제 2 결합 층을 포함하는 단일 광자 광원 소자
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12
제 11 항에 있어서,상기 직선 도파로 및 상기 링 도파로 외곽의 상기 하부 클래드 층 상에 제공되는 상부 클래드 층을 더 포함하는 단일 광자 광원 소자
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13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 점 결함의 일측의 상기 제 1 결합 층 및 상기 상부 클래드 층 상에 제공되는 제 1 전극을 더 포함하는 단일 광자 광원 소자
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14
제 12 항에 있어서,상기 제 1 전극과 마주하여 배치되고, 상기 제 2 점 결함의 타측의 상기 제 2 결합 층 및 상기 상부 클래드 층 상에 제공되는 제 2 전극을 더 포함하는 단일 광자 광원 소자
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15
제 12 항에 있어서,상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층은 실리콘 산화물을 포함하는 단일 광자 광원 소자
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16
제 1 광을 제공하는 제 1 광원; 및상기 제 1 광원의 일측에 제공되고, 상기 제 1 광을 이용하여 단일 광자를 생성하는 단일 광자 광원을 포함하되,상기 단일 광자 광원 소자는:기판;기판 상에 일방향으로 연장하는 직선 도파로;상기 직선 도파로 상에 제공되고 제 1 점 결함을 갖는 제 1 결합 층; 상기 제 1 점 결함에 인접하는 상기 제 1 결합 층 상에 제공되는 적어도 하나의 제 1 전극;상기 직선 도파로에 인접하여 상기 기판 상에 제공되는 링 도파로; 및상기 링 도파로 상에 제공되는 적어도 하나의 제 2 전극을 포함하는 단일 광자 광원 시스템
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제 16 항에 있어서,상기 제 1 광원에 인접하여 제공되고, 제 2 광을 제공하는 제 2 광원을 더 포함하는 단일 광자 광원 시스템
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제 17 항에 있어서,상기 제 1 광원 및 상기 제 2 광원은 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드를 포함하는 단일 광자 광원 시스템
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제 17 항에 있어서,상기 제 1 광원과 상기 제 2 광원 사이에 제공되는 빔 스플리터를 더 포함하는 단일 광자 광원 시스템
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