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서로 다른 물질인 제1 전이금속 이황화물과 제2 전이금속 이황화물을 혼합하여 전이금속 이황화물 전구용액을 구비하는 단계;상기 전이금속 이황화물 전구용액을 코팅하여 성장시킬 기판을 구비하되, 세척 및 표면 처리하는 단계;상기 기판에 전이금속 이황화물 전구용액을 스핀 코팅하여 전구체 박막층을 형성하는 단계;상기 전구체 박막층을 성장시켜 전이금속 이황화물 박막을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 전이금속 이황화물은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀렌화몰리브덴(MoSe2), 이텔루륨화몰리브덴(MoTe2)으로 이루어진 몰리브덴계 중에서 선택된 어느 하나이고,상기 제2 전이금속 이황화물은 이황화텅스텐(WS2), 이셀렌화텅스텐(WSe2) 및 이텔루륨화텅스텐(WTe2)으로 이루어진 텅스턴계 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 전이금속 이황화물은 (NH4)2MoS4이고,상기 제2 전이금속 이황화물은 (NH4)2WS4인 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 (NH4)2MoS4 및 (NH4)2WS4 각각에서 몰리브덴(Mo)과 텅스텐(W)이 갖는 원자비를 "x"라 할 때, x = 0
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제 1항에 있어서,상기 전이금속 이황화물 박막은,합금된 Mo1-xWxS2계 전이금속 이황화물로 합성된 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 스핀 코팅은,화학증기증착방식으로 3000rpm 내지 4000rpm 조건에서 50초 내지 100초 동안 수행하고, 수소(H2) 및 질소(N2)를 기상의 캐리어가스로 사용한 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전구체 박막층은,1 내지 2 Torr의 압력 및 400℃ 내지 500℃의 예열온도 조건에서 30분 내지 40분의 예열을 수행한 후,40sccm의 수소(H2) 유량과 200sccm의 질소(N2) 유량 및 800℃ 내지 1000℃의 성장온도 조건에서 50~100분 동안 수행하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 기판은,SiO2/Si 웨이퍼, SiO2 웨이퍼, Si 웨이퍼 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 기판은,표준 피라냐 용액, 아세톤, 이소프로필 알코올, 물 중에서 선택된 1종으로 세척하여 표면으로부터 유기물 또는 불순물을 제거한 후,최적화된 전이금속 이황화물 코팅 조건을 갖추기 위해 자외선 또는 오존을 10분 내지 20분 동안 조사하여 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전이금속 이황화물 박막은,단일층 또는 다층 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전이금속 이황화물 박막 상에 부착성을 갖게 하기 위한 플라스틱수지를 스핀 코팅하는 단계;상기 플라스틱수지가 스핀 코팅된 전이금속 이황화물 박막의 가장자리를 긁어내 기판과의 빠른 분리가 이루어지게 가공하는 단계;상기 전이금속 이황화물 박막과 플라스틱수지가 스핀 코팅된 상태인 기판을 불소화수소수와 불소화알루미늄이 배합된 식각용액에 담가 기판을 식각 처리함으로써 플라스틱수지가 스핀 코팅된 전이금속 이황화물 박막만을 남기는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 플라스틱수지는,폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane;PDMS), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate;PMMA), 폴리이미드(polyimide), 폴리아크릴레이트(polyacrilate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terphthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리술폰(polysulfone), 폴리비닐리덴플 루오라이드(polyvinylidene fluoride), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전이금속 이황화물 박막은,4eV 내지 6eV의 일함수를 갖는 것을 특징으로 하는 전이금속 이황화물 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전이금속 이황화물 박막은,1
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전이금속 이황화물 박막을 제조하는 단계;상기 전이금속 이황화물 박막을 ITO기판 상에 부착하여 전이금속 이황화물 기반의 정공수송층을 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 전이금속 이황화물 박막은,청구항 1 내지 청구항 14 중에서 선택된 어느 하나의 제조방법에 의해 제조한 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 정공수송층과 ITO 기판과의 사이에 전이금속 이황화물 기반의 정공주입층을 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 정공주입층은,청구항 1 내지 청구항 14 중에서 선택된 어느 하나의 제조방법에 의해 제조한 전이금속 이황화물 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 정공수송층 위에 유기발광층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 유기발광층 위에 전자수송층, 전자주입층, 전극을 순차 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 ITO 기판은,표준 피라냐 용액, 아세톤, 이소프로필 알코올, 물 중에서 선택된 1종으로 세척하여 표면으로부터 유기물 또는 불순물을 제거한 후,전이금속 이황화물 박막과의 최적화된 부착 조건을 갖추기 위해 자외선 또는 오존을 10분 내지 20분 동안 조사하여 표면 처리하는 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자 제조방법
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청구항 15 내지 청구항 19 중에서 선택된 어느 하나의 유기발광다이오드 소자 제조방법에 의해 제조되어 전이금속 이황화물 박막에 의한 전이금속 이황화물 기반의 정공수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
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