맞춤기술찾기

이전대상기술

컨볼루션 SRAM 및 대각방향 축적 SRAM을 포함하는 신경망 가속기

  • 기술번호 : KST2022009137
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 컨볼루션 SRAM 및 대각방향 축적 SRAM을 포함하는 신경망 가속기를 제공한다. 신경망 가속기는 제1 입력값 채널과 제1 가중치 채널에 대해 축적 주변 연산을 수행하여 제1 연산값을 출력하고, 제1 입력값 채널에 후속하는 제2 입력값 채널과 제1 가중치 채널에 후속하는 제2 가중치 채널에 대해 축적 주변 연산을 수행하여 제2 연산값을 출력하는 컨볼루션 SRAM, 컨볼루션 SRAM과 연결되고, 컨볼루션 SRAM의 제1 연산 값과 제2 연산값을 입력 받아 제1 연산값과 제2 연산값에 대한 축적 주변 연산을 수행하는 축적 주변 연산기, 셀렉션 신호에 따라 출력값을 선택하여 출력하는 멀티플렉서 어레이, 가변 가능한 가중치의 비트 방향 축적과 입력에 대한 공간 방향 축적 연산을 수행하는 대각방향 축적 SRAM, 대각방향 축적 SRAM의 출력을 제공받고 시프트 신호에 따라 시프트 연산을 수행하는 대각 이동 로직 및 대각 이동 로직의 시프트 연산된 출력값들의 덧셈 연산을 수행하는 덧셈 어레이 연산기를 포함하되, 멀티플렉서 어레이는 셀렉션 신호에 따라 축적 주변 연산기의 출력값 또는 덧셈 어레이 연산기의 출력값 중 어느 하나를 선택하여 대각방향 축적 SRAM에 출력한다.
Int. CL G06N 3/063 (2006.01.01) G06N 3/04 (2006.01.01) G06N 3/08 (2006.01.01) G06F 7/50 (2006.01.01) G06F 7/52 (2006.01.01) G11C 11/413 (2006.01.01) G11C 11/412 (2006.01.01)
CPC G06N 3/063(2013.01) G06N 3/04(2013.01) G06N 3/08(2013.01) G06F 7/50(2013.01) G06F 7/52(2013.01) G11C 11/413(2013.01) G11C 11/412(2013.01)
출원번호/일자 1020200189900 (2020.12.31)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0096991 (2022.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김주영 대전광역시 유성구
2 이석한 서울특별시 종로구
3 손교민 경기도 용인시 수지구
4 김지훈 대전광역시 유성구
5 허재훈 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-1441907-79
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2021.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2021-0003490-81
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0250984-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 입력값 채널과 제1 가중치 채널에 대해 축적 주변 연산을 수행하여 제1 연산값을 출력하고, 상기 제1 입력값 채널에 후속하는 제2 입력값 채널과 상기 제1 가중치 채널에 후속하는 제2 가중치 채널에 대해 축적 주변 연산을 수행하여 제2 연산값을 출력하는 컨볼루션 SRAM;상기 컨볼루션 SRAM과 연결되고, 상기 컨볼루션 SRAM의 상기 제1 연산 값과 상기 제2 연산값을 입력 받아 상기 제1 연산값과 상기 제2 연산값에 대한 축적 주변 연산을 수행하는 축적 주변 연산기;셀렉션 신호에 따라 출력값을 선택하여 출력하는 멀티플렉서 어레이;가변 가능한 가중치의 비트 방향 축적과 입력에 대한 공간 방향 축적 연산을 수행하는 대각방향 축적 SRAM;상기 대각방향 축적 SRAM의 출력을 제공받고 시프트 신호에 따라 시프트 연산을 수행하는 대각 이동 로직; 및상기 대각 이동 로직의 시프트 연산된 출력값들의 덧셈 연산을 수행하는 상기 덧셈 어레이 연산기를 포함하되,상기 멀티플렉서 어레이는 상기 셀렉션 신호에 따라 상기 축적 주변 연산기의 출력값 또는 덧셈 어레이 연산기의 출력값 중 어느 하나를 선택하여 상기 대각방향 축적 SRAM에 출력하는 신경망 가속기
2 2
제1항에 있어서,상기 덧셈 어레이 연산기의 출력을 입력 받는 탑 컨트롤러를 더 포함하되,상기 탑 컨트롤러는 상기 덧셈 어레이 연산기의 출력을 기초로 상기 시프트 신호를 생성하는 신경망 가속기
3 3
제1항에 있어서,상기 컨볼루션 SRAM은 n개(n은 자연수)의 컬럼을 포함하고,상기 컬럼은 m개(m은 자연수)의 로컬 셀 어레이를 포함하는 신경망 가속기
4 4
제3항에 있어서,상기 로컬 셀 어레이는,로컬 비트 라인과 연결된 사전 충전 유닛과, 상기 로컬 비트 라인과 연결된 상기 m개의 8T 셀과,상기 로컬 비트 라인과 연결되고 인에이블 신호에 응답하여 글로벌 비트 라인로 출력값을 출력하는 인에이블 신호 입력부를 포함하는 신경망 가속기
5 5
제4항에 있어서,상기 컨볼루션 SRAM에는 상기 n개의 가중치 채널이 입력되고,상기 n개의 가중치 채널의 가중치 값들 중 0이 아닌 값들이 상기 로컬 셀 어레이에 로드되는 신경망 가속기
6 6
제1항에 있어서,상기 컨볼루션 SRAM은 상기 제2 입력값 채널에 후속하는 제3 입력값 채널과 상기 제2 가중치 채널에 후속하는 제3 가중치 채널에 대해 축적 주변 연산을 수행하여 제3 연산값을 더 출력하고,상기 축적 주변 연산기는 상기 제1 연산값과 상기 제3 연산값에 대한 축적 주변 연산과, 상기 제2 연산값과 상기 제3 연산값에 대한 축적 주변 연산을 더 수행하는 신경망 가속기
7 7
사전 충전 유닛;n(n은 자연수)개의 8T SRAM 셀; 및인에이블 신호 입력부를 포함하되,상기 사전 충전 유닛은 채널 방향의 가중치 값들을 충전하고,상기 8T SRAM 셀에 저장된 입력값과 상기 사전 충전 유닛에 충전된 가중치 값은 상기 8T SRAM 셀 내에서 AND 연산되는 컨볼루션 SRAM
8 8
제7항에 있어서,상기 8T SRAM 셀은 제1 내지 제4 트랜지스터, 제1 및 제2 인버터를 포함하되,제 1 트랜지스터의 게이트단은 리드 워드 라인과 연결되고,제3 및 제4 트랜지스터의 게이트단은 라이트 워드 라인과 연결되고,상기 8T SRAM 셀에 저장된 입력값은 상기 리드 워드 라인에 전압을 인가되어 리드되는 컨볼루션 SRAM
9 9
대각방향 축적 SRAM; 및대각 이동 로직을 포함하되,상기 대각방향 축적 SRAM은,제1 내지 제4 트랜지스터와 제1 및 제2 인버터를 포함하되,상기 제1 트랜지스터의 게이트단은 리드 워드 라인과 연결되고,상기 제2 트랜지스터의 게이트단은 상기 제1 및 제2 인버터 중 어느 하나에 연결되고,상기 제3 및 제4 트랜지스터의 게이트단은 라이트 워드 라인과 연결되고,상기 라이트 워드 라인에 전압이 인가되어 상기 제1 및 제2 인버터는 제1 입력값을 저장하고,상기 리드 워드 라인에 전압이 인가되어 상기 제1 및 제2 트랜지스터는 리드 비트 라인을 통해 제공받은 제2 입력값과 상기 제1 입력값을 AND 연산하는 신경망 가속기
10 10
제9항에 있어서,상기 대각방향 축적 SRAM은 상기 제1 입력값과 상기 제2 입력값에 대해 시프트 동작을 수행하는 시프트 레지스터를 더 포함하는 신경망 가속기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 정보통신방송혁신인재양성(R&D) 비대면·인공지능 사회를 위한 반도체 시스템 융합혁신기술 개발