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포토다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022023729
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시에에 따른 포토다이오드는 원호 섹션을 포함하고, 상기 원호 섹션은, 제1 곡률을 가진 내측 곡선부; 제1 방향으로 이격되고 상기 내측 곡선부와 동일한 구조를 가진 외측 곡선부; 상기 내측 곡선부의 일단에서 상기 외측 곡선부의 중심으로부터 반경 방향으로 연장되는 제1 반경부; 상기 내측 곡선부의 타단에서 상기 외측 곡선부의 중심으로부터 반경 방향으로 연장되는 제2 반경부; 상기 제1 반경부와 상기 외측 곡선부의 일단을 연결하는 제1 직선부; 및 상기 제1 반경부와 상기 외측 곡선부의 타탄을 연결하는 제2 직선부를 포함한다.
Int. CL H01L 31/103 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/103(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/022408(2013.01)
출원번호/일자 1020210074584 (2021.06.09)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0165935 (2022.12.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.06.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종철 대전광역시 유성구
2 김태현 대전광역시 유성구
3 노길선 대전광역시 서구
4 강일석 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0664103-18
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2021-1112258-52
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
포토다이오드는 원호 섹션을 포함하고,상기 원호 섹션은:제1 곡률을 가진 내측 곡선부;제1 방향으로 이격되고 상기 내측 곡선부와 동일한 구조를 가진 외측 곡선부;상기 내측 곡선부의 일단에서 상기 외측 곡선부의 중심으로부터 반경 방향으로 연장되는 제1 반경부;상기 내측 곡선부의 타단에서 상기 외측 곡선부의 중심으로부터 반경 방향으로 연장되는 제2 반경부;상기 제1 반경부와 상기 외측 곡선부의 일단을 연결하는 제1 직선부; 및상기 제1 반경부와 상기 외측 곡선부의 타탄을 연결하는 제2 직선부를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
2 2
제1 항에 있어서,상기 원호 섹션의 중심각은 90도 인 것을 특징으로 하는 포토다이오드
3 3
제1 항에 있어서,원호 섹션의 외곽선을 따라 형성되고 반도체 기판에 제1 도전형으로 도핑된 제1 도핑 영역;상기 제1 도핑 영역의 안쪽에 형성되고 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형으로 도핑된 가드링 영역;상기 가드링 영역의 안쪽에 형성되고 상기 가드링 영역과 연결되고 제2 도전형으로 도핑된 활성 영역;상기 반도체 기판 상에 배치된 제1 절연층; 상기 원호 섹션의 모서리에서 상기 제1 도핑 영역에 배치된 제1 전극;상기 제1 절연층을 관통하여 제1 전극과 상기 제1 도핑 영역을 연결하는 제1 비아; 상기 가드링 영역을 따라 상기 가드링 영역 상에 배치된 제2 전극; 및상기 제1 절연층을 관통하여 상기 제2 전극과 상기 가드링 영역을 연결하는 제2 비아; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
4 4
제1 항에 있어서,상기 절연층 상에 배치된 무반사층을 더 포함하고,상기 제1 도핑 영역과 상기 가드링 영역 사이에서 상기 반도체 기판과 접촉하여 배치되고 상기 가드링 영역을 감싸도록 배치되는 보조 절연층을 더 포함하고, 상기 보조 절연층의 두께는 상기 절연층의 두께보다 크고,상기 절연층 및 상기 부반사층은 상기 보조 절연층을 덮도록 배치되는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
5 5
반도체 기판 상에 보조 절연막을 형성하고 상기 보조 절연막을 패터닝하여 원호 섹션의 내측에 보조 절연막 패턴을 형성하는 단계;보조 절연막 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 절연막을 형성한 후 이온 주입하여 제2 도전형의 활성 영역, 상기 활성영역을 감싸는 제2 도전형의 가드링 영역, 상기 가드링 영역을 감싸는 제1 도전형의 제1 도핑 영역을 각각 형성하는 단계;상기 반도체 기판 상에 무반사층을 형성하고, 상기 무반사층 및 상기 절연층을 패터닝하여 상기 제1 도핑 영역에 연결되는 제1 비아홀 및 상기 가드링 영역에 연결되는 제2 비아홀을 형성하는 단계;상기 제1 비아홀 및 상기 제2 비아홀을 채우도록 도전층을 증착하고 패터닝하여 제1 비아, 제1 전극, 제2 비아, 및 제2 전극을 형성하는 단계;상기 원호 섹션을 따라 상기 반도체 기판의 상부면을 이방석 식각을 하여 절단선을 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판의 상부면에 폴리머 필름을 부착한 후 상기 반도체 기판의 배면을 연마하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 반도체 기판의 연마된 배면에 분리용 필름을 부착한 후 상기 폴리머 필름을 제거하고, 상기 분리용 필름을 연장하여 소자 사이의 충돌을 방지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서,보조 절연막 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 절연막을 형성한 후 이온 주입하여 활성 영역, 상기 활성영역을 감싸는 가드링 영역, 상기 가드링 영역을 감싸는 제1 도핑 영역을 각각 형성하는 단계는:제1 포토레지스트 패턴과 제2 불순물로 이온 주입 공정을 통하여 상기 가드링 영역을 형성하는 단계;제2 포토레지스트 패턴과 제1 불술물로 이온 주입 공정을 통하여 상기 제1 도핑 영역을 형성하는 단계; 및제3 포토레지스트 패턴과 제2 불순물로 이온 주입 공정을 통하여 상기 활성 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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