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게이트 전극; 및 게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연된 활성층;을 포함하고, 상기 활성층은 제1 산화물 반도체 물질 및 상기 제1 산화물 반도체 물질보다 더 큰 밴드갭을 갖는 제2 산화물 반도체 물질이 교대로 적어도 2회 이상 적층된 유사 초격자 구조를 갖는,박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질은 인듐 아연 산화물이고, 상기 제2 산화물 반도체 물질은 갈륨 산화물인, 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 인듐 아연 산화물에서 인듐의 함량이 아연의 함량보다 큰, 박막 트랜지스터
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제3항에 있어서, 인듐의 함량 대 아연의 함량 비율은 75 대 25인, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질은 인듐 갈륨 산화물이고, 상기 제2 산화물 반도체 물질은 갈륨 산화물인, 박막 트랜지스터
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6
제5항에 있어서, 상기 인듐 갈륨 산화물에서 인듐의 함량이 갈륨의 함량보다 큰, 박막 트랜지스터
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7
제6항에 있어서, 인듐의 함량 대 갈륨의 함량 비율은 84 대 16인, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질이 상기 게이트 절연층에 접하는, 박막 트랜지스터
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9
제1항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질의 두께는 상기 제2 산화물 반도체 물질의 두께와 동일한, 박막 트랜지스터
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10
제1항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질 및 상기 제2 산화물 반도체 물질의 두께는 2 nm 이상 5nm 이하인, 박막 트랜지스터
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11
복수의 화소들; 및상기 복수의 화소들 각각에 배치되는 박막 트랜지스터를 포함하고,상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극; 및 게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연된 활성층;을 포함하고, 상기 활성층은 제1 산화물 반도체 물질 및 상기 제1 산화물 반도체 물질보다 더 큰 밴드갭을 갖는 제2 산화물 반도체 물질이 교대로 적어도 2회 이상 적층된 유사 초격자 구조를 갖는, 디스플레이 장치
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제11항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질은 인듐 아연 산화물 또는 인듐 갈륨 산화물이고, 상기 제2 산화물 반도체 물질은 갈륨 산화물인, 디스플레이 장치
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제12항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질에서 인듐의 함량이 아연의 함량 또는 갈륨의 함량보다 큰, 디스플레이 장치
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제11항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질이 상기 게이트 절연층에 접하는, 디스플레이 장치
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제11항에 있어서, 상기 제1 산화물 반도체 물질의 두께는 상기 제2 산화물 반도체 물질의 두께와 동일한, 디스플레이 장치
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