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스프링 상수 가변형 자기 스프링

  • 기술번호 : KST2023007388
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스프링 상수 가변형 자기 스프링으로서, 인가하는 자기장의 세기가 증가할수록 유효 스프링 상수(keff)가 증가하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL F16F 6/00 (2006.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC F16F 6/00(2013.01) B82B 1/005(2013.01) B82B 3/0066(2013.01) F16F 2238/026(2013.01)
출원번호/일자 1020220025192 (2022.02.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0127651 (2023.09.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.02.25)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상국 경기도 성남시 분당구
2 윤지열 서울특별시 영등포구
3 안현 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2022-0216626-78
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.06.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
인가하는 자기장의 세기가 증가할수록 유효 스프링 상수(keff)가 증가하는,스프링 상수 가변형 자기 스프링
2 2
제1항에 있어서,상기 인가하는 자기장의 세기와 상기 유효 스프링 상수의 증가는 선형(linear) 관계인, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
3 3
제1항에 있어서,상기 스프링 상수 가변형 자기 스프링은 코일 스프링 형상을 가지는, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
4 4
제1항에 있어서,상기 스프링 상수 가변형 자기 스프링은 탄성 매트릭스에 복수의 자성 나노 입자가 일 방향으로 정렬된 상태로 경화된 것인, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
5 5
제4항에 있어서,복수의 상기 자성 나노 입자는 자기 체인(magnetic chain)을 형성한 상태로 경화된 탄성 매트릭스에 고정된 것인, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
6 6
제4항에 있어서,상기 스프링 상수 가변형 자기 스프링은,(a) 탄성 매트릭스에 복수의 자성 나노 입자를 혼합한 복합체를 준비하는 단계;(b) 상기 복합체를 몰드에 주입하는 단계;(c) 상기 몰드의 일 방향으로 자기장을 인가하면서 상기 탄성 매트릭스를 경화하는 단계를 통해 제조되는, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
7 7
제5항에 있어서,상기 (c) 단계에서 자기장의 인가 방향과 평행한 방향으로 상기 탄성 매트릭스 내의 상기 복수의 자성 나노 입자가 자기 체인(magnectic chain)을 형성하고,상기 탄성 매트릭스의 경화가 완료되면 상기 자기 체인의 형태가 고정되는, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
8 8
제4항에 있어서,상기 자성 나노 입자는 평균 직경이 50nm 내지 100nm인 Magnetite(Fe3O4) 나노 입자인, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
9 9
제4항에 있어서,상기 탄성 매트릭스는 실리콘 폴리머 재질을 포함하는, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
10 10
제1항에 있어서,상기 스프링 상수 가변형 자기 스프링의 유효 스프링 상수(keff)는,이며,k0는 자기장이 인가되지 않는 상태에서 스프링 자체 복원력에 의한 스프링 상수, N은 자성 나노 입자의 수, m은 자화(magnetization), μ0는 투자율(permeability), H는 자기장(magnetic field), n은 코일 감김수, D는 코일 지름(coil diameter)인, 스프링 상수 가변형 자기 스프링
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.