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고전기전도도의 물질을 포함하고, 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들, 및상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체의 표면에 형성된 열전 소재를 포함하고,상기 나노 구조체는 상기 열전 소재와 코어쉘 구조를 형성하는 열전 디바이스
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제1항에 있어서,상기 열전 소재는 상기 나노 구조체의 표면에 치환 형성된 열전 디바이스
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제1항에 있어서,상기 열전 소재는 비쓰무스 텔룰라이드(BiTe), 안티몬 텔룰라이드(SbTe), 실리콘, 실리콘 게르마늄(SiGe) 및 반도체 산화물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재를 포함하는 열전 디바이스
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제1항에 있어서,상기 고전기전도도의 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 철(Fe), 은(Ag), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 주석(Sn) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 열전 디바이스
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제1항에 있어서,상기 고전기전도도의 물질은 고농도 도핑 반도체 물질을 포함하고, 상기 반도체 물질은 칼코지나이드(chalcogenide)계 소재, Si, SiGe, BiTe 및 SbTe로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질인 열전 디바이스
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제1항에 있어서,상기 나노 구조체들은 나노 막대, 나노 튜브 또는 나노 와이어인 열전 디바이스
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제1항에 있어서,상기 물질의 전기전도도는 0
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제1항에 있어서,상기 물질은 자성 소재를 더 포함하는 열전 디바이스
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고전기전도도의 물질을 포함하고, 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계,상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체에 접하는 열전 소재를 제공하는 단계,상기 복수의 나노 구조체들을 일방향으로 정렬하는 단계, 및상기 정렬된 복수의 나노 구조체들을 소결하는 단계를 포함하는 열전 디바이스의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들을 일방향으로 정렬하는 단계에서, 상기 복수의 나노 구조체들에 자기장을 인가하여 상기 나노 구조체들을 일방향으로 정렬시키는 열전 디바이스의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 열전 소재를 제공하는 단계는, 상기 복수의 나노 구조체들을 도금 용액에 침지하여 상기 도금 용액에 포함된 금속 이온들과의 상호 반응에 의해 상기 복수의 나노 구조체들의 표면을 열전 소재로 치환하는 열전 디바이스의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 금속 이온들은 텔루륨 이온(Te2+)을 포함하는 열전 디바이스의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 금속 이온들은 안티몬 이온(Sb3+) 또는 비스무스 이온(Bi3+)을 더 포함하는 열전 디바이스의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 복수의 나노 구조체들은 도금 용액내에서 일방향으로 성장하여 제조되는 열전 디바이스의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들은 나노 템플릿(nano template) 내에 형성된 개구부를 통하여 성장하여 제조되는 열전 디바이스의 제조 방법
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