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입계절연형반도체자기조성물및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015074142
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 티탄산스트론튬(SrTi03)을 92∼97mol%, 원자가제어제인 산화란탄(La203)을 0.1∼0.2mol% 결정입자성장제인 이산화망간(MnO2)을 2.8∼4.8mol%, 소결온도를 낮추고 결정입자를 성장을 촉진시키는 티탄산동(CuTi03)을 0.1∼3mol%로 첨가하여 형성된 자기조성물 ; 및 상기 자기조성물에 확산되어 결정입계를 절연하는 입계절연화제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입계절연형 반도체 자기조성물에 관한 것으로, 높은 유전율과 안전한 온도 특성을 가지고 있기 때문에 반도체 자기 캐패시터 및 정전기흡수용 다기능 소자로 이용할 수 있고, 또한 종래의 높은 소결온도를 비교적 낮은 온도에서 소결하기 때문에 제조원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01)
CPC H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01)
출원번호/일자 1019930020761 (1993.10.07)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0119846-0000 (1997.08.08)
공개번호/일자 10-1995-0012724 (1995.05.16) 문서열기
공고번호/일자 1019970008814 (19970529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.10.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석진 대한민국 대전직할시유성구
2 이상석 대한민국 대전직할시유성구
3 최태구 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.10.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0107770-95
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.10.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0107769-48
3 특허출원서
Patent Application		 1993.10.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0107768-03
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0107771-30
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0107772-86
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0046242-28
7 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0046243-74
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

입계절연형 반도체 자기조성물에 있어서, 티탄산스트론튬(SrTiO3)을 92~97mol%, 원자가제어제인 산화란탄(La2O3)을 0

2 2

제1항에 있어서, 상기 입계절연화제는 삼산화비스무스(Bi2O3)인 것을 특징으로 하는 입계절연형 반도체 자기조성물

3 3

입계절연형 반도체 자기조성물 제조 방법에 있어서, 티탄산스트론튬(SrTiO3), 산화란탄(La2O3), 이산화망간(MnO2), 티탄산동(CuTiO3)을 표1의 조성과 같이 평량하여 탈이온수와 함께 혼합하는 단계, 상기 혼합물을 건조하여 형성된 파우더를 하소하여 혼합하는 단계, 하소된 혼합물을 성형하는 단계, 상기 성형된 혼합물을 환원분위기의 전기로 중에서 소결하는 단계 및 상기 소결된 자기조성물에 결정입계 절연을 위한 입계절연화제를 상기 조성물 표면에 도포하여 조성물 내부로 확산시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 입계절연형 반도체 자기조성물 제조 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 하소는 온도 900~1000℃에서 3~5시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 입계절연형 반도체 자기조성물 제조 방법

5 5

제2항에 있어서, 상기 소결은 온도 1300~1400℃에서 소결하는 것을 특징으로 하는 입계절연형 반도체 자기조성물 제조 방법

6 6

제3항에 있어서, 상기 환원분위기는 질소 92~98%, 수소 2~8%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입계절연형 반도체 자기조성물 제조 방법

7 7

제3항에 있어서, 상기 입계절연화제의 조성물 내로의 확산은 자기조성물 표면에 삼산화비스무스(Bi2O3)와 폴리비닐알콜(PVA)를 섞어 도포한 후 조성물 내로 확산시키는 것을 특징으로 하는 입계절연형 반도체 자기조성물 제조 방법

8 8

제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 입계절연화제의 자기조성물 내로의 확산은 대기중에서 1150℃~1250℃로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입계절연형 반도체 자기조성물 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.