SOI 구조를 이용한 메모리세포에 있어서, SOI 웨이퍼의 표면 규소층(44)에 활성화영역(31)을 형성하여 이의 양쪽 끝부분과 홈(32)의 일부가 겹치도록 배치하고, 다결정규소(55)를 이용하여 축전전극인 n+영역(59)와 이송트랜지스터이 소오스(71)가 직접 연결되도록 구성함을 특징으로하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 세포

SOI 웨이퍼의 표면규소층(44)에 양쪽 끝이 홈(32)의 일부와 겹치도록 활성화 영역(31)을 형성하는 단계와, 홈(32)을 위한 마스크로 규소산화막(48)과 규소질화막(49) 및 규소산화막(50)의 유전막을 순차적으로 증착하는 단계와, 반응성이온 부식과 다결정규소(54), 규소질화막(51)의 유전막들의 증착을 혼용하여 다결정규소(55)를 남기면서 홈(32)을 형성하는 단계와, 규소산화막(56)과 규소질화막(57)을 마스크로 이용하여 홈(32)을 선택적으로 붕소 도우핑 시키는 단계와, 다결정규소(55)에 의해 채널전극인 n+영역(59)과 소오스(71)가 연결되도록 소오스(71), 드레인(72), 콘택트(38) 및 금속배선 혹은 비트선(39)을 형성하는 단계들의 결합으로 이루어짐을 특징으로하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리의 제조방법

제2항에 있어서, 활성화 영역(31)을 형성하되, 표면규소층(44)에 규소산화막(45)과 규소질화막(46)을 순차적으로 형성하고, 감광막을 마스크로하여 규소산화막(45)과 규소질화막(46)을 순차적으로 건식부식 시킨다음, 역시 건식 부식방법으로 표면 규소층(44)의 두께의 반을 깎아 내고 감광막을 제거한 후 표면규소층(44)을 열산화하여 필드 산화막(47)이 형성되도록 함을 특징으로하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리의 제조방법

제2항에 있어서, 홈(32)을 위한 마스크로 규소산화막(48), 규소질화막(49)과 규소산화막(50)의 3층 유전막을 증착하는 것을 특징으로하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리의 제조방법

제2항에 있어서, 홈(32)을 형성하되, 감광막을 마스크로하여 삼층의 유전막(48), (49), (50), 표면규소층(44)과 필드산화막(47)을 순차적으로 반응성 이온 부식시켜 SOI의 규소산화막(43)을 노출시키고 이 구조 위에 규소질화막(51)을 형성한 뒤, 반응성 이온 부식으로 측면의 규소질화막(52)을 남긴다음 상기 규소산화막(43), (50)과 규소질화막(52)을 반응성 이온 부식시켜 규소질화막(49)과 측면의 규소질화막(53)을 잔류시키면서 규소기판(42)을 노출시키고, 규소산화막(43)의 측면을 습식 부식하여 공간을 만든 다음 다결정규소(54)를 증착하여 홈(32)완전히 채운 상태에서 반응성 이온 부식방법을 이용하여 다결정규소(54)와 규소기판(42)을 부식시켜측면 규소질화막(57) 다결정규소(55)와 홈(32)을 형성하고, 잔류규소질화막(57)과 규소산화막(56)을 마스크로하여 붕소를 이온 주입하거나 BN 웨이퍼로부터 확산시켜 P+영역(58)을 형성시키도록 함을 특징으로하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리의 제조방법

제2항에 있어서, 감광막을 마스크로하여 비소를 이온 주입하여 축전전극인 n+영역(59)이 규소기판(42), 표면규소층(44)과 다결정규소(55)에 모두 형성되도록 함을 특징으로하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리의 제조방법

제2항에 있어서, 이송트랜지스터의 소오스(71)와 드레인(72)축전전극인 n+영역(59) 및 상대전극인 n+다결정규소(64)가 모두 n+형이 되도록 함을 특징으로하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리의 제조방법