맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체장치의캐패시터제조방법

  • 기술번호 : KST2015073712
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 잔류막의 표면에 형성되는 SiC 막을 이용하여 캐패시티(capactor)를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 방법은, 실리콘 기판상에 불순물이 주입된 제1다결정 실리콘을 증착하는 단계와, 상기 제1다결정 실리콘을 소정의 두께로 식각하여 잔류막을 형성하는 단계와, 급속 열처리 방법으로 하여 열처리하여 소정 두께의 SiC박막을 형성하는 단계와, 상기 급속열처리 방법에 의해 생성된 흑연(graphite)탄소층을 제거하는 단계와, 상기 SiC 박막 상에 절연막을 증착하는 단계와, 상부 전극을 형성하기 위하여 상기 절연막 상에 제2다절정 실리콘을 증착하는 단계와, 감광막을 사용하여 캐패시터 영역을 정의하는 단계 및, 반응성 이온 건식시각 방법으로 유전물까지 상기 캐패시터 영역이외의 부분을 식각한 후 상기 감광막을 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01)
CPC H01L 28/60(2013.01)
출원번호/일자 1019910021079 (1991.11.25)
출원인 주식회사 케이티, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0091349-0000 (1995.11.07)
공개번호/일자 10-1993-0011219 (1993.06.24) 문서열기
공고번호/일자 1019950008853 (19950808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.11.25)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권광호 대한민국 대전광역시 중구
2 박형호 대한민국 대전광역시 중구
3 김보우 대한민국 대전광역시 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116539-96
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116541-88
3 특허출원서
Patent Application		 1991.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116538-40
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116540-32
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1992.04.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116542-23
6 보정통지서
Request for Amendment		 1994.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0055348-01
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0055347-55
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.10.17 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116543-79
9 의견서
Written Opinion		 1994.10.17 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116544-14
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1995.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0055349-46
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0055351-38
12 등록사정서
Decision to grant		 1995.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0055352-84
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판(8)상에 불순물이 주입된 제1다결정 실리콘(9)을 증착하는 단계와 상기 제1다결정 실리콘(9)을 반응성 이온식각방법을 이용하여 소정의 두께로 식각하여 잔류막(10)을 형성하는 단계가 포함되는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 이온 건식식각 방법에 따라 소정두께로 상기 제1다결정 실리콘(9)의 상부에 상기 잔존막(10)이 형성되면 반응 챔버내로 할로겐 화합물(CHF3, C2F6, CF4등)을 주입하는 제1과정과; 상기 제1과정과 동시에 rf power(13

2 2

제1항에 있어서, 상기 SiC박막(11) 형성을 위한 급속 열처리 온도는 900℃ 내지 1100℃이고, 급속 열처리 시간은 1분 내지 10분인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 SiC박막(11)의 두께는 1nm 내지 2nm인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.