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스택구조D램셀의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073802
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 27/108 (2006.01)
CPC H01L 27/10852(2013.01) H01L 27/10852(2013.01) H01L 27/10852(2013.01)
출원번호/일자 1019900004604 (1990.04.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0068240-0000 (1993.12.03)
공개번호/일자 10-1991-0019224 (1991.11.30) 문서열기
공고번호/일자 1019930008579 (19930909) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.04.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김천수 대한민국 대전시서구
2 이진호 대한민국 대전시중구
3 이규홍 대한민국 대전시서구
4 김대용 대한민국 대전시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1990.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027989-17
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027990-64
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027991-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1992.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0014184-70
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1992.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027992-55
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1992.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027994-46
7 의견서
Written Opinion		 1992.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027993-01
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1993.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0014185-15
9 의견서
Written Opinion		 1993.02.25 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027995-92
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.02.25 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027996-37
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1993.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0014186-61
12 의견서
Written Opinion		 1993.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027997-83
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1990-0027998-28
14 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.13 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1990-0014187-17
15 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.16 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1990-0014188-52
16 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.16 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1990-0014191-90
17 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.16 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1990-0014192-35
18 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.16 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1990-0014189-08
19 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.16 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1990-0014193-81
20 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.16 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1990-0014190-44
21 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0014194-26
22 등록사정서
Decision to grant		 1993.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0014195-72
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기억장치를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘기판(1)위에 V자 형태로 활성영역을 정의한 후 게이트를 형성하고 소오스 영역 및 드레인 영역에 이온주입하여 트랜지스터를 형성하는 단계와, 폴리사이드층(8)을 형성하고 LTO(9)를 도포하 후 비트라인 영역을 정의하여 식각하고 측벽 산화막 스페이서를 형성하여 비트라인을 형성하는 단계와, 산화막(17)을 도포하고 평탄화한 후 실리콘 질화막(11)과 제 1 실리콘 산화막(12)을 순차로 도포하고 저장전극 접촉영역을 형성하는 단계와, 제 1 폴리실리콘(13), 제 2 실리콘 산화막(14), 제 2 폴리실리콘(15) 및 제 3 실리콘 산화막(16)을 순차로 도포하고 칼럼형태의 분리영역을 정의한 후 식각하는 단계와, 폴리실리콘 스페이서(18)로 상기 제 1 및 제 2 폴리실리콘(13,15)을 상호 연결하고 인접셀간의 저장전극 분리를 위한 로우형태의 분리영역을 정의한 후 식각하고 상기 제 1 내지 제 3실리콘 산화막(12,14,16)을 제거하여 저장전극을 형성하는 단계와, POC3l의 분위기에서 상기 저장전극을 도우핑하고 캐패시터 유전막(18a)을 ONO(산화막/질화막/산화막)구조로 형성하고 플레이트 전극(19)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스택구조 D램 셀의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 폴리실리콘(15)이 형성된 후 다른 하나의 실리콘 산화막과 다른 하나의 폴리실리콘을 순차로 적층하는 단계와, 상기 제 2 폴리실리콘(15)과 상기 다른 하나의 폴리실리콘을 폴리실리콘 스페이서로 연결하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 스택구조 D램 셀의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04225557 JP 일본 FAMILY
2 KR1019930004985 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP4225557 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH04225557 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.