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1
제1 전극층;
상기 제1 전극층 상에 형성된 유기물 강유전체 박막층;
상기 유기물 강유전체 박막층 상에 형성된 반도체 박막층; 및
상기 반도체 박막층 상에 형성된 제2 전극층
을 포함하며,
상기 유기물 강유전체 박막층의 상부 또는 하부에는 무기물 절연체 박막층이 형성되어 있는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치
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2
제1항에 있어서,
상기 무기물 절연체 박막층은
비유전율이 4 내지 30인 무기물 절연체를 포함하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치
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3
제2항에 있어서,
상기 유기물 강유전체 박막의 비유전율은 30 이하인 유기물 강유전체를 포함하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치
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4
제3항에 있어서,
상기 유기물 강유전체 박막층은
폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF) 또는 트리플루오루오로에칠렌(TrFE)과의 공중합체(P(VDF-TrFE)), 또는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 중 적어도 하나를 포함하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치
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5
기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극층 상에 유기물 강유전체 박막층을 형성하는 단계;
상기 유기물 강유전체 박막층 상에 반도체 박막층을 형성하는 단계; 및
상기 반도체 박막층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 유기물 강유전체 박막층의 상부 또는 하부에 무기물 절연체 박막층을 형성하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치의 제조 방법
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6
제5항에 있어서,
상기 무기물 절연체 박막층은 비유전율이 4 내지 30인 무기물 절연체를 포함하여 형성하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치의 제조 방법
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7
제6항에 있어서,
상기 유기물 강유전체 박막의 비유전율은 30 이하인 유기물 강유전체를 포함하여 형성하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치의 제조 방법
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8
제7항에 있어서,
상기 무기물 절연체 박막은 200도 이하에서 형성하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치의 제조 방법
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9
제8항에 있어서,
상기 유기물 강유전체 박막은 70 내지 180도 사이에서 열처리하여 이루어지는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치의 제조 방법
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10
제8항에 있어서,
상기 유기물 강유전체 박막은 140도에서 열처리하여 결정화하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치의 제조 방법
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11
제10항에 있어서,
상기 무기물 절연체 박막은 5 나노미터의 알루미늄산화막으로 형성하고,
상기 유기물 강유전체 박막은 20 나노미터의 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF) 와 트리플루오루오로에칠렌(TrFE)과의 공중합체(P(VDF-TrFE))를 포함하여 형성하는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치의 제조 방법
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12
제11항에 있어서,
상기 유기물 강유전체 박막의 열처리 시간은 수초에서 1시간 사이에서 이루어지는
유기물 강유전체를 이용한 비휘발성 정보저장장치의 제조 방법
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