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수직자화를 이용한 자기저항 메모리 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015097848
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자구의 크기를 안정적으로 줄일 수 있는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리 및 그 제조방법을 제시한다. 그 메모리 및 제조방법은 두께방향을 따라 수직으로 자화되는 자구를 갖는 적어도 2층의 자성층 중의 적어도 하나의 자성층의 일면에 배치되며, 적어도 하나의 자성층을 이루는 원소 중에 적어도 하나의 원소를 포함하여 자성층과 교환 커플링을 형성하는 하지층을 포함한다. 수직자화, 메모리, 자구, 커플링
Int. CL G11B 5/39 (2006.01)
CPC G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자 1020060042011 (2006.05.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0054551 (2007.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050112334   |   2005.11.23
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.10)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류호준 대한민국 서울 노원구
2 서동우 대한민국 대전광역시 유성구
3 백문철 대한민국 대전광역시 유성구
4 강광용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0327463-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0002604-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0276545-02
5 의견서
Written Opinion		 2007.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0447526-54
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0447528-45
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0618065-10
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2007.12.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0050815-39
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0092854-79
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0286610-49
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0286609-03
12 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2008.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0450351-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
두께방향을 따라 수직으로 자화되는 자구를 갖는 적어도 2층의 자성층;상기 자성층 사이에 형성된 터널절연막; 및상기 터널절연막에 대향하면서 적어도 하나의 상기 자성층의 일면에 배치되며, 상기 적어도 하나의 자성층을 이루는 원소 중에 적어도 하나의 원소를 포함하여 상기 자성층과 교환 커플링을 형성하는 하지층을 포함하는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 자성층은 스핀고정층 및 기록층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리
3 3
제2항에 있어서, 상기 하지층은 상기 스핀고정층의 일면에 배치된 것을 특징으로 하는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리
4 4
제2항에 있어서, 상기 하지층은 상기 기록층의 일면에 배치된 것을 특징으로 하는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리
5 5
제2항에 있어서, 상기 하지층은 각각 상기 스핀고정층 및 상기 기록층의 일면에 배치된 것을 특징으로 하는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리
6 6
제2항에 있어서, 상기 하지층은 Fe, Co, Ni 및 그들의 합금 중에서 선택한 어느 하나로 이루어진 적어도 1층의 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리
7 7
두께방향을 따라 수직으로 자화되는 자구를 갖는 기록층을 형성하는 단계;상기 기록층 상에 터널절연막을 형성하는 단계; 상기 터널절연막 상에 스핀고정층을 형성하는 단계; 및상기 터널절연막에 대향하면서 상기 기록층 및 상기 스핀고정층 중의 적어도 하나의 층의 일면에 배치되고, 상기 적어도 하나의 층을 이루는 원소 중에 적어도 하나의 원소를 포함하여 상기 적어도 하나의 층과 교환 커플링을 형성하는 하지층을 형성하는 단계를 포함하는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 하지층을 형성하는 단계는상기 하지층과 동일한 조성을 가지나, 결정구조가 다른 예비 하지층(pre-sub-layer)을 형성하는 단계; 및상기 예비 하지층에 열을 가하여 상기 예비 하지층보다 자기 이방성 에너지가 높은 결정구조로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20070115715 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007115715 US 미국 DOCDBFAMILY
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