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반도체소자의 범프 전극 구조 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115145
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 반도체의 상단에 형성된 범프, 상기 범프 상단에 형성되고, 탄성력이 있는 폴리머 물질로 이루어진 적어도 하나 이상의 돌출코어, 및 상기 범프 및 상기 돌출코어의 상단에 도포되어 형성되고, 다른 반도체소자 또는 기판의 전극과 접촉되는 금속층을 포함하는 반도체소자의 범프 전극 구조 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110099200 (2011.09.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1381644-0000 (2014.03.31)
공개번호/일자 10-2013-0035002 (2013.04.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백경욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 김일 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나동규 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0763198-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.26 수리 (Accepted) 9-1-2012-0081104-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0695569-10
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0054821-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0141894-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0235054-41
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0235055-97
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0529467-03
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0872826-01
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1058647-87
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-1058688-48
14 등록결정서
Decision to grant
2014.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0220024-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체의 상단에 형성된 범프;상기 범프 상단에 형성되고, 탄성력이 있는 폴리머 물질로 이루어진 적어도 하나 이상의 돌출코어; 및상기 범프 및 상기 돌출코어의 상단에 도포되어 형성되고, 다른 반도체소자 또는 기판의 전극과 접촉되는 금속층;을 포함하고,상기 돌출코어는 돔 또는 반구의 형태로 형성되며, 상기 돌출코어는 1~10㎛의 폭으로 형성되는 반도체소자의 범프 전극 구조
2 2
청구항 1에 있어서,상기 돌출코어는 열경화성 또는 열가소성을 갖는 폴리머 물질인 반도체소자의 범프 전극 구조
3 3
청구항 2에 있어서,상기 폴리머 물질은 감광성 폴리머 물질인 반도체소자의 범프 전극 구조
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
범프가 형성된 반도체소자를 준비하는 단계;상기 범프의 상단에 폴리머 물질로 이루어진 돌출코어를 형성시키는 단계; 및상기 범프 및 상기 돌출코어 상단에 금속층을 형성시키는 단계;를 포함하고,상기 돌출코어를 형성시키는 단계에서,상기 폴리머 물질을 열처리하여 탄성력이 있는 돔 또는 반구 형태로 변형시켜 돌출코어를 형성시키고, 상기 금속층을 형성시키는 단계는,무전해도금법, 화학기상증착법(CVD), 및 물리기상증착법(PVD) 중 선택된 하나의 방법으로 금속층을 형성시키며, 상기 무전해도금법은,상기 범프 및 상기 돌출코어의 상단에 환원제를 흡착 또는 코팅시키는 단계; 및상기 범프 및 상기 돌출코어의 상단의 환원제가 흡착 또는코팅된 부분에 무전해도금을 하여 금속층을 형성시키는 단계;를 포함하는 반도체소자의 범프 전극 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 돌출코어를 형성시키는 단계는,리소그래피, 제팅(Jetting), 그라비아 오프셋, 및 임프린팅 중 선택된 하나의 방법으로 패턴화시키는 단계;를 포함하는 반도체소자의 범프 전극 제조방법
8 8
삭제
9 9
청구항 6에 있어서,상기 돌출코어는,상기 범프의 상단에 1~10㎛ 폭으로 형성된 폴리머 물질인 반도체소자의 범프 전극 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 폴리머 물질은 감광성 물질인 반도체소자의 범프 전극 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
청구항 6에 있어서,상기 환원제는, 도파민(dopamine)을 이용하여 형성한 폴리도파민(polydopamine)인 반도체소자의 범프 전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 청정제조기반사업원천기술개발사업 저온 속경화형 접합재료 원천기술 개발