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단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체 제조방법으로, 상기 방법은, 기판(10) 상에 전극(12)을 형성하는 단계;상기 전극(12)을 덮는 제1 포토레지스트층(13)을 패터닝하는 단계;상기 제1 포토레지스트층(13)을 덮는 제2 포토레지스트층(14)을 형성하는 단계;상기 제2 포토레지스트층(14)의 일부를 제거하여 제1 공간부(15)를 형성하고, 상기 제1 포토레지스트층(13)을 제거하여 상기 제1 공간부(15)에 연속되는 제2 공간부(16)를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 공간부(16)는 상기 제1 공간부(15)와 단차가 형성되도록 제공되는, 단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단차는 적어도 두 방향 이상에 형성되는,단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체 제조 방법
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제 1항 또는 제 2항에 따른 제조 방법에 의하여 제조되는, 단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체에 수용되는 전도성 범프 구조체 제조방법으로, 상기 방법은, 기판(20) 상에 전극 또는 시드층(22)을 형성하는 단계;상기 전극 또는 시드층(22)을 덮는 포토레지스트층(24)을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층(24)에 상기 전극 또는 시드층(22)이 노출되고, 전도성 범프의 형상을 가지는 공간부(25)가 형성되도록 상기 포토레지스트층(24)의 일부를 제거하는 단계;상기 공간부(25)에 전도성 재료를 삽입하여 전도성 범프(27)를 형성하는 단계;상기 포토레지스트층(24)을 제거하는 단계를 포함하는, 단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체에 수용되는 전도성 범프 구조체 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 전도성 범프(27)는 주석, 납, 금, 비스무트 및 탈륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 금속 물질을 포함하는,단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체에 수용되는 전도성 범프 구조체 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 전도성 범프(27)는 전기 도금(electroplate) 공정을 이용하여 형성되는,단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체에 수용되는 전도성 범프 구조체 제조 방법
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단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체를 이용한 칩간 접속 방법으로, 상기 방법은, 외부로 개구된 제1 공간부(15)와, 상기 제1 공간부(15)의 내측에 연속적으로 형성되고 상기 제1 공간부(15)와 단차를 가지도록 제공되는 제2 공간부(16)가 제공되는 전도성 범프 수용 구조체가 형성된 제1 칩(40)을 제공하는 단계;상기 제1 공간부(15)에 삽입가능한 전도성 범프(27)가 제1 접속된 제2 칩(30)을 제공하는 단계; 및상기 제2 칩(30)과 상기 제1 칩(40)을 근접시켜 접속시키는 단계를 포함하고, 여기에서 상기 제2 칩의 전도성 범프(27)는 상기 제1 칩의 전도성 범프 수용 구조체 내부로 수용된 후 상기 제1 칩과 제2 접속되고, 압력 또는 열에 의해 소성변형되어 상기 단차에 걸리는 체결턱을 형성하는 것을 특징으로 하는,단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체를 이용한 칩간 접속 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 전도성 범프(27)는 주석, 납, 금, 비스무트 및 탈륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 금속 물질을 포함하는,단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체를 이용한 칩간 접속 방법
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외부로 개구되고, 전도성 범프(27)가 삽입되는 제1 공간부(15)와, 상기 제1 공간부(15)에 의해서만 외부로 연결되도록 그 내측에 연속적으로 형성되는 제2 공간부(16)를 포함하고, 상기 제2 공간부(16)의 단면이 상기 제1 공간부(15)의 단면보다 크도록 단차가 형성되어 있어, 상기 전도성 범프(27)가 상기 제1 공간부(15)를 관통하여 삽입된 후, 압력 또는 열에 의해 소성변형되어 상기 단차에 걸리는 체결턱을 형성하여 이탈이 방지되는 것을 특징으로 하는,단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체
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