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연접 비씨에이치 부호, 복호 및 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로 및 플래쉬 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015115962
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연접 BCH 부호, 복호 및 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로 및 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로, 본 발명에 의한 연접 BCH 다계층 복호 회로는, 연접 BCH 부호 일부를 인가받아 BCH 복호를 수행하여 제 1 출력 BCH 부호 또는 그에 의해 보호되는 제 1 출력 데이터를 출력하는 제 1 스테이지 복호부와, 상기 제 1 출력 BCH 부호 또는 상기 제1 출력 데이터를 두 개 이상의 블록(block)으로 나눠 디인터리빙(de-interleaving)하여 출력하는 디인터리빙부와, 상기 디인터리빙부의 출력을 BCH 복호하여 제 2 출력 BCH 부호 또는 그에 의해 보호되는 제 2 출력 데이터를 출력하는 제 2 스테이지 복호부와, 상기 제 2 출력 BCH 부호 또는 상기 제 2 출력 데이터를 두 개 이상의 블록으로 나눠 인터리빙하여 상기 제 1 스테이지 복호부로 출력하는 인터리빙부 및, 상기 제 1 및 제 2 스테이지 복호부에서 복호 결과 정보(실패 또는 성공)를 인가받고 상기 제 2 출력 BCH 부호 또는 그에 의해 보호되는 제 2 출력 데이터를 인가받아 복호 실패 블록에 대해 추가 복호를 실행하는 추가 복호부를 포함하고 있다.
Int. CL H03M 13/15 (2006.01) H03M 13/27 (2006.01) G11C 29/42 (2006.01)
CPC G11C 29/42(2013.01) G11C 29/42(2013.01) G11C 29/42(2013.01) G11C 29/42(2013.01)
출원번호/일자 1020120073372 (2012.07.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1357544-0000 (2014.01.21)
공개번호/일자 10-2014-0006446 (2014.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20140205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.05)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정석 대한민국 대전광역시 유성구
2 조성근 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0539233-24
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0542731-21
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0044333-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0525027-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0699686-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0699687-81
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0754356-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플래쉬 메모리 장치로부터 제공되는 저장 데이터 일부를 인가받아 BCH 복호하는 제 1 스테이지 복호부;상기 제 1 스테이지 복호부의 출력을 두 개 이상의 블록(block)으로 나눠 디인터리빙(de-interleaving)하여 출력하는 디인터리빙부;상기 디인터리빙부의 출력을 BCH 복호하는 제 2 스테이지 복호부; 상기 제 2 스테이지 복호부의 출력을 두 개 이상의 블록으로 나눠 인터리빙하여 상기 제 1 스테이지 복호부로 출력하는 인터리빙부; 및상기 제 1 및 제2 스테이지 복호부로부터 복호 성공 데이터를 제공받고 상기 저장 데이터와 비교하여 데이터 산포 곡선의 통계적 특성을 산출하고, 데이터 산포 곡선의 통계적 특성에 따라 상기 플래쉬 메모리 장치의 문턱 전압을 조정하여 상기 플래쉬 메모리 장치가 상기 제1 스테이지 복호부에 데이터를 재입력하도록 하는 문턱 전압 제어부를 포함하는 연접 BCH 복호 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 통계적 특성은 "1"을 저장했지만 "0"으로 판단되도록 저장된 경우, "0"을 저장했지만 "1"로 판단되도록 저장된 경우, 또는 "0"과 "1"을 각각 저장했을 때 저장 값이 그대로인 경우의 개수인 것을 특징으로 하는 연접 BCH 복호 회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 문턱 전압 제어부는 상기 제 1 스테이지 복호부의 복호 성공 데이터와 상기 저장 데이터를 블록 단위로 비교하여 데이터 산포 곡선의 통계적 특성을 획득하는 제1 비교부; 상기 저장 데이터를 디인터리빙하는 디인터리빙부;상기 제 2 스테이지 복호부의 복호 성공 데이터와 상기 디인터리빙부의 출력 데이터를 블록 단위로 비교하여 데이터 산포 곡선의 통계적 특성을 획득하는 제2 비교부; 및 데이터 산포 곡선의 통계적 특성 각각에 대응되는 문턱 전압 조정 기준을 저장한 매핑 테이블을 구비하고, 상기 매핑 테이블을 기반으로 상기 제1 및 제2 비교부를 파악된 데이터 산포 곡선의 통계적 특성에 상응하는 문턱 전압을 새로이 획득하여 상기 플래쉬 메모리 장치에 통보하는 문턱 전압 결정부를 포함하는 연접 BCH 복호 회로
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 연접 BCH 부호는 행 부호(Row Code), 열 부호(Column Code)를 포함하는 연접 BCH 복호 회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 비교부는 열 복호 비교기(Column Code comparator)이고, 상기 디인터리빙부는 블록 단위 디인터리버(Block-wise De-interleaver)이고, 상기 제 2 비교부는 행 복호 비교기(Row Code comparator)인 연접 BCH 복호 회로
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 스테이지 복호부는 다수의 열 복호기(Column Code Decoder)이고,상기 제 2 스테이지 복호부는 다수의 행 복호기(Row Code Decoder)이고,상기 디인터리빙부는 블록 단위 디인터리버(Block-wise De-interleaver)이고,상기 인터리빙부는 블록 단위 인터리버(Block-wise Interleaver)인 연접 BCH 복호 회로
7 7
입력 데이터를 두 개 이상의 데이터로 분리한 후 각각 BCH 부호화하여 상기 분리된 데이터와 같은 개수의 행 BCH 부호를 출력하는 외부 부호부;상기 행 BCH 부호 또는 상기 행 BCH 부호에 의해 보호되는 데이터를 다시 두 개 이상의 블록으로 나눠 그 블록들을 인터리빙하고 같은 개수의 블록을 출력하는 인터리빙부;상기 인터리빙부에서 인터리빙된 블록들을 BCH 부호화하여 열 BCH 부호를 출력하는 내부 부호부;플래쉬 메모리 장치로부터 제공되는 저장 데이터 일부를 인가받아 BCH 복호하는 제 1 스테이지 복호부;상기 제 1 스테이지 복호부의 출력을 두 개 이상의 블록(block)으로 나눠 디인터리빙(de-interleaving)하여 출력하는 디인터리빙부;상기 디인터리빙부의 출력을 BCH 복호하는 제 2 스테이지 복호부; 상기 제 2 스테이지 복호부의 출력을 두 개 이상의 블록으로 나눠 인터리빙하여 상기 제 1 스테이지 복호부로 출력하는 인터리빙부; 및상기 제 1 및 제2 스테이지 복호부로부터 복호 성공 데이터를 제공받고 상기 저장 데이터와 비교하여 데이터 산포 곡선의 통계적 특성을 산출하고, 데이터 산포 곡선의 통계적 특성에 따라 상기 플래쉬 메모리 장치의 문턱 전압을 조정하여 상기 플래쉬 메모리 장치가 상기 제1 스테이지 복호부에 데이터를 재입력하도록 하는 문턱 전압 제어부를 포함하는 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로
8 8
플래쉬 메모리 장치로부터 제공되는 저장 데이터 일부를 인가받아 1차 BCH 복호하는 단계;상기 1차 BCH 복호 결과를 두 개 이상의 블록(block)으로 나눠 디인터리빙(de-interleaving)하여 출력하는 단계;상기 디인터리빙 결과를 2차 BCH 복호하는 단계; 상기 2차 BCH 복호 결과를 두 개 이상의 블록으로 나눠 인터리빙하는 단계;상기 1차 및 2차 BCH 복호 결과 중 복호 성공 데이터만을 추출한 후 상기 저장 데이터와 비교하여 데이터 산포 곡선의 통계적 특성을 산출하고, 데이터 산포 곡선의 통계적 특성에 따라 상기 플래쉬 메모리 장치의 문턱 전압을 조정하여 상기 플래쉬 메모리 장치가 상기 조정된 문턱 전압으로 데이터를 다시 읽도록 하는 단계; 및 상기 플래쉬 메모리 장치로부터 새로운 저장 데이터가 입력되면, 상기 새로운 저장 데이터가 1차 BCH 복호되도록 하고, 그렇지 않으면 상기 인터리빙 결과가 1차 BCH 복호되도록 하는 단계를 포함하는 연접 BCH 다계층 복호 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 통계적 특성은 "1"을 저장했으나 "0"으로 판단되도록 저장된 경우, "0"을 저장했으나 "1"로 판단되도록 저장된 경우, 또는 "0"과 "1"을 각각 저장했을 때 저장 값이 그대로인 경우의 개수인 것을 특징으로 하는 연접 BCH 다계층 복호 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 장치가 상기 조정된 문턱 전압으로 데이터를 다시 읽도록 하는 단계는 상기 1차 BCH 복호 결과 중 복호 성공 데이터만을 추출한 후, 상기 저장 데이터와 비교하여 1차 데이터 산포 곡선의 통계적 특성을 산출하는 단계;상기 저장 데이터를 디인터리빙하는 단계; 상기 2차 BCH 복호 결과 중 복호 성공 데이터만을 추출한 후, 상기 디인터리빙 결과와 비교하여 2차 데이터 산포 곡선의 통계적 특성을 산출하는 단계;통계적 특성 각각에 대응되는 문턱 전압 조정 기준을 저장한 매핑 테이블을 기반으로, 상기 1차 및 2차 데이터 산포 곡선의 통계적 특성에 상응하는 문턱 전압을 새로이 획득하여 상기 플래쉬 메모리 장치에 통보하는 단계를 포함하는 연접 BCH 다계층 복호 방법
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