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비휘발성 메모리 소자의 구동방법

  • 기술번호 : KST2015119177
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 관한 것이다.이러한 본 발명은 기판에 형성된 트렌치와 트렌치 상에 형성된 전하트랩영역과 전하트랩영역 상에 형성된 게이트 및 트렌치의 양측에 형성된 소오스와 드레인을 포함하는 RCAT구조를 갖는 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 있어서, 드레인측과 인접한 전하트랩영역에 전하를 포획하는 드레인측 전하포획단계 및 소오스측과 인접한 전하트랩영역에 전하를 포획하는 소오스측 전하포획단계를 포함한다.RCAT(Recessed Channel Array Transistor), 비휘발성 메모리, 충돌이온화(impact ionization)
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 16/30 (2006.01)
CPC G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01)
출원번호/일자 1020070012606 (2007.02.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0853964-0000 (2008.08.19)
공개번호/일자 10-2008-0073859 (2008.08.12) 문서열기
공고번호/일자 (20080825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 김국환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0114052-04
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0161845-65
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0283542-17
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0283567-58
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0425208-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 형성된 트렌치와 상기 트렌치 상에 형성된 전하트랩영역과 상기 전하트랩영역 상에 형성된 게이트 및 상기 트렌치의 양측에 형성된 소오스와 드레인을 포함하는 RCAT구조를 갖는 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 있어서,상기 드레인측과 인접한 상기 전하트랩영역에 전하를 포획하는 드레인측 전하포획단계; 및상기 소오스측과 인접한 상기 전하트랩영역에 전하를 포획하는 소오스측 전하포획단계를 포함하는, 비휘발성 메모리 소자의 구동방법
2 2
제1항에 있어서,상기 드레인측 전하포획단계에서 상기 게이트에 인가하는 전압이 상기 드레인에 인가하는 전압보다 큰, 비휘발성 메모리 소자의 구동방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 게이트에 인가하는 전압은 10V이상 15V이하이고, 상기 드레인에 인가하는 전압은 5V이상 7V이하이고, 상기 소오스에 인가하는 전압은 접지전압인, 비휘발성 메모리 소자의 구동방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 소오스측 전하포획단계에서 상기 게이트에 인가하는 전압이 상기 소오스에 인가하는 전압보다 큰, 비휘발성 메모리 소자의 구동방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 게이트에 인가하는 전압은 10V이상 15V이하이고, 상기 소오스에 인가하는 전압은 5V이상 7V이하이고, 상기 드레인에 인가하는 전압은 접지전압인, 비휘발성 메모리 소자의 구동방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 전하트랩영역에 저장된 전하를 소거하는 전하소거단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 구동방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 전하소거단계에서상기 게이트에 인가하는 전압은 -15V이상 -10V이하이고, 상기 기판에 인가하는 전압은 접지전압인, 비휘발성 메모리 소자의 구동방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.