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전자방출 특성이 향상된 에미터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014056083
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따른 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법은 탄소나노튜브 등으로 에미터를 성장시키는 성장단계; 상기 성장단계에서 성장된 에미터를 수지로 코팅하는 코팅단계; 및 상기 수지 코팅된 에미터를 열처리하는 어닐링단계를 포함한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01.01) H01J 1/304 (2006.01.01) H01J 29/48 (2006.01.01) H01J 31/12 (2006.01.01) H01J 63/02 (2006.01.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020110107624 (2011.10.20)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1208770-0000 (2012.11.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.20)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규창 대한민국 서울 광진구
2 장 진 대한민국 서울 서초구
3 이수웅 대한민국 경기도 파주시 한빛로 ,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 월드빔솔루션 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0822560-76
2 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2011.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0843244-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066238-44
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0721640-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에미터를 기판 위에 성장시키는 성장단계; 상기 성장단계에서 성장된 에미터를 수지로 코팅하는 코팅단계; 및상기 수지 코팅된 에미터를 열처리하는 어닐링단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 에미터는 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 에미터 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 에미터는 탄소나노튜브 페이스트를 이용한 프린팅 타입의 탄소나노튜브 에미터인 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
4 4
제2항에 있어서,상기 성장단계에서는,상기 탄소나노튜브가 플라즈마 화학기상증착(PE-CVD: plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하는 랩(RAP:resist-assisted patterning)공정에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 성장단계에서는,아세틸렌(C2H2) 및 암모니아(NH3)가 40:60 비율로 혼합된 상태에서 800℃ 온도로 2
6 6
제5항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 성장 포인트의 직경 3㎛, 각 성장 포인트 중심 사이의 이격거리(island pitch) 15㎛의 탄소나노튜브 에미터 어레이로 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅단계에서는,스핀 코팅기술을 이용하여 상기 에미터 기판(emitter substrate)을 수지로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 수지는 포토-레지스트(PR: photo-resist)이거나 탄소성분을 포함한 유기화합물인 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 어닐링단계에서는,상기 에미터와 기판을 아르곤 가스 분위기에서 3밀리(milli) 토르(Torr) 기압과 600-1000℃ 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 에미터는 탄소나노와이어, 산화아연(Zinc oxide) 나노와이어, 탄소나노파이버, 나노그래핀, 에칭에 의한 마이크로팁 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 코팅단계에서는,스핀 코팅기술을 이용하여 상기 에미터 기판(emitter substrate)을 수지로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 수지는 포토-레지스트(PR: photo-resist)이거나 탄소성분을 포함한 유기화합물인 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
13 13
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 어닐링단계에서는,상기 에미터와 기판을 아르곤 가스 분위기에서 3밀리(milli) 토르(Torr) 기압과 600-1000℃ 온도에서 1시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법
14 14
기판 위에 성장된 에미터; 및상기 성장된 에미터와 기판(emitter substrate) 위에 코팅된 수지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터
15 15
제14항에 있어서, 상기 에미터는 탄소나노튜브, 탄소나노와이어, 산화아연(Zinc oxide) 나노와이어, 탄소나노파이버, 나노그래핀, 에칭에 의한 마이크로팁 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터
16 16
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 수지층은 포토-레지스트(PR: photo-resist) 또는 탄소성분을 포함한 유기화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터
17 17
제16항에 있어서,상기 수지층이 코팅된 에미터와 기판을 아르곤 가스 분위기에서 3밀리(milli) 토르(Torr) 기압과 600-1000℃ 온도에서 1시간 동안 열처리한 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터
18 18
제17항에 있어서,상기 수지층이 열처리를 통해서 그라파이트로 성상이 변화한 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울시 경희대학교산학협력단 서울시 기술기반 구축 사업 나노 기반 차세대 방사선 진단기 연구단
2 지식경제부 경희대학교산학협력단 산업원천기술개발사업 나노소재기반 멀티엑스선원 및 단층합성영상 시스템 기술개발