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기판;상기 기판 상에 형성된 제1전극;상기 제1전극에 접촉되게 형성된 것으로, 전기장 인가에 따라 굴절률이 변하는 물질로 이루어진 활성층;상기 활성층에 접촉되게 형성된 제2전극;상기 제2전극 상에, 2차원 격자 형태로 형성된 광결정(photonic crystal)층;을 포함하며,상기 광결정층의 투과 파장 대역은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 인가된 전압에 의해 상기 활성층에 형성된 전기장에 따라 변하는, 광결정형 광변조기
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제1항에 있어서,상기 활성층은 KTN, LiNbO3, PZT, PLZT, Liquid-Crystal 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 광결정형 광변조기
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제1항 또는 제3항에 있어서,상기 광결정층은 2차원적으로 배열된 나노 사이즈의 다수의 단위 블록들을 포함하는 광결정형 광변조기
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제6항에 있어서,상기 광결정형 광변조기에서 선택적으로 반사 또는 투과되는 광의 파장 대역은 상기 단위 블록들의 사이즈, 형상, 재질, 상기 단위 블록들 간의 간격, 상기 활성층의 재질 및 활성층에 형성되는 전기장에 의해 결정되는 광결정형 광변조기
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제6항에 있어서,상기 단위 블록들의 단면은 정다각형 또는 원 형상을 갖는 광결정형 광변조기
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제6항에 있어서,상기 단위 블록들은 단면 형상이 서로 다른 제1 단위블록들과 제2 단위블록들을 포함하며,상기 제1 단위블록들과 제2 단위블록들이 교번 배열된 광결정형 광변조기
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제6항에 있어서,상기 단위 블록들 사이의 간격은 50nm 이상 1000nm 이하의 범위를 갖는 광결정형 광변조기
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제6항에 있어서,상기 단위 블록들은 1
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제6항에 있어서,상기 단위 블록들은 Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO2, SiON 또는 이들의 합성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광결정형 광변조기
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제6항에 있어서,상기 단위 블록들은 음각으로 형성된 광결정형 광변조기
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제6항에 있어서,상기 기판은 근적외선 대역에서 투명한 재질로 형성되는 광결정형 광변조기
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제6항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극은 투명 전도성 재질로 형성되는 광결정형 광변조기
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피사체에 광을 조사하는 조명부;피사체에서 반사된 광을 포커싱하는 대물렌즈;상기 대물렌즈를 투과한 광을 변조하는 것으로, 제1항 또는 제3항의 광결정형 광변조기;상기 광변조기에서 변조된 광 신호를 감지하는 센서;상기 센서에서 감지된 신호로부터 피사체의 깊이 영상 정보를 연산하는 연산부;를 포함하는 3차원 깊이 영상 촬영 장치
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제16항에 있어서,상기 조명부는 근적외선 대역의 광을 조사하는 광원을 포함하여 이루어지는 3차원 깊이 영상 촬영 장치
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제17항에 있어서,상기 대물렌즈와 광결정형 광변조기 사이에는 상기 광원에서 조사하는 근적외선 대역의 광만을 투과시키는 협대역 투과필터(narrow bandpass filter)가 더 구비되는 3차원 깊이 영상 촬영 장치
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피사체에 적외선 광을 조사하는 조명부;피사체에서 반사된 광을 포커싱하는 대물렌즈;상기 대물렌즈에서 포커싱되는 가시광으로부터 피사체의 컬러영상신호를 형성하는 제1 이미지센서;상기 대물렌즈에서 포커싱되는 적외선 광을 변조하는 것으로, 제1항 또는 제3항의 광결정형 광변조기;상기 광결정형 광변조기에서 변조된 광으로부터 피사체의 깊이영상신호를 형성하는 제2 이미지센서;상기 제1 이미지센서 및 제2 이미지센서에서 각각 형성되는 컬러영상신호 및 깊이영상신호로부터 피사체의 3차원 영상을 생성하는 영상처리부;를 포함하는 3차원 영상 획득 장치
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제19항에 있어서,피사체에서 반사된 광 중, 가시광이 상기 제1 이미지센서를 향하고, 적외선광이 상기 제2 이미지센서를 향하도록 분기하는 빔스플리터가 더 구비된 3차원 영상 획득 장치
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