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전자빔 레지스트 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015159229
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 음성 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 음성 감광막 패턴이 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 양성 감광막을 도포하는 단계, 상기 음성 감광막 패턴의 상부가 노출되도록 상기 양성 감광막의 일부를 식각하는 단계 및 상기 음성 감광막의 패턴의 전부를 식각하는 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 따른 감광막 패턴 형성방법은 기존의 전자빔 리소그라피 장비의 한계를 극복하여 20nm 이하의 양성 감광막의 패턴을 형성할 수 있으며, 패턴 형성공정 단순화하여 T-형 게이트와 같은 복잡한 구조물의 형성에 용이하게 적용할 수 있다.HSQ, ZEP, T-형 게이트, 전자빔 리소그라피
Int. CL G03F 7/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/2059(2013.01) G03F 7/2059(2013.01) G03F 7/2059(2013.01) G03F 7/2059(2013.01)
출원번호/일자 1020050108650 (2005.11.14)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0685861-0000 (2007.02.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성원 대한민국 서울 관악구
2 서광석 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 박정학 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, ****호(역삼동, 아남타워)(넥스트원국제특허법률사무소)
3 박윤성 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 서천석국제특허법률사무소 (서초동, 카이스시스템빌딩)
4 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0653743-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.08.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2006-0062122-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0622978-95
5 의견서
Written Opinion		 2006.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0950944-56
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0950998-11
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0085649-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판상에 음성 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 음성 전자빔 레지스트 패턴이 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 양성 전자빔 레지스트를 도포하는 단계;상기 음성 전자빔 레지스트 패턴의 상부가 노출되도록 상기 양성 전자빔 레지스트의 일부를 식각하는 단계; 및 상기 음성 전자빔 레지스트의 패턴의 전부를 식각하는 단계를 포함하는 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 음성 전자빔 레지스트는 HSQ(Hydrogen Silsesquioxane)인 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 음성 전자빔 레지스트의 패턴은 20nm 이하의 크기로 형성하는 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 양성 전자빔 레지스트는 ZEP인 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
7 7
제 4 항에 있어서,음성 전자빔 레지스트의 패턴 형성은 전자빔 리소그라피를 이용하는 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 음성 전자빔 레지스트의 패턴의 전부를 식각하는 단계는 습식 식각을 이용하는 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 습식 식각 용액은 BOE(Buffered Oxide Etchant)인 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 양성 전자빔 레지스트의 일부를 식각하는 단계는 건식 식각을 이용하는 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 건식 식각은 산소 플라즈마 식각인 전자빔 레지스트 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.