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양극;음극; 및상기 양극과 상기 음극 사이에 형성된 발광층을 포함하고,상기 발광층은 서로 다른 밴드갭(band gap)을 갖는 제1 발광물질층과 제2 발광물질층이 교대로 1회 이상 적층되어 두 층 이상의 적층구조를 가지며, 상기 제1 발광물질층은 페로브스카이트층이고, 상기 제2 발광물질층은 페로브스카이트층이거나 유기물층이고,엑시톤(exciton) 또는 전하 수송체(charge carrier)는 밴드갭이 더 작은 발광물질층 내에 공간적으로 속박되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 양극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공주입층; 또는상기 발광층과 상기 음극 사이에 배치된 전자수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 발광물질층이 상기 제2 발광물질층보다 더 큰 밴드갭(band gap)을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 발광물질층의 가전자대 최상단(VBM: Valence Band Maximum)의 에너지 준위는 상기 제2 발광물질층의 가전자대 최상단의 에너지 준위보다 낮으며, 상기 제1 발광물질층의 전자대 최하단(CBM: Conduction Band Minimum)의 에너지 준위는 상기 제2 발광물질층의 전자대 최하단의 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 발광층의 가전자대 최상단(VBM)의 에너지 준위는 상기 양극의 일함수 준위보다 낮으며, 상기 발광층의 전자대 최하단(CBM)의 에너지 준위는 상기 음극의 일함수 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 2에 있어서,상기 발광층의 가전자대 최상단(VBM)의 에너지 준위는 상기 양극의 일함수 준위 및 상기 정공주입층의 HOMO 에너지 준위보다 낮은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 2에 있어서,상기 발광층의 전자대 최하단(CBM)의 에너지 준위는 상기 음극의 일함수 준위 및 상기 전자수송층의 LUMO 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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8
청구항 1에 있어서,상기 제1 발광물질층 또는 제2 발광물질층에 포함되는 상기 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, A3BX5, A4BX6, ABX4 또는 An-1PbnX3n+1(n은 2 내지 6 사이의 정수)의 구조를 가지며,상기 A는 유기 암모늄 이온, 유기 아미디늄(amidinium) 이온, 유기 포스포늄 이온, 알칼리 금속 이온 또는 이들의 유도체를 포함하며, 상기 B는 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토금속, 유기물, 무기물, 암모늄, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함하며, 상기 X는 할로겐 이온 또는 서로 다른 할로겐 이온의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 8에 있어서,상기 제1 발광물질층의 A의 크기가 상기 제2 발광물질층의 A의 크기보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 8에 있어서,상기 제1 발광물질층의 X의 크기가 상기 제2 발광물질층의 X의 크기보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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11
청구항 8에 있어서,상기 제1 발광물질층의 결정구조의 차원(Dimensionality)이 상기 제2 발광물질층의 결정구조의 차원보다 낮거나 같은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 8에 있어서,상기 A는 (CH3NH3)n, ((CxH2x+1)nNH2)(CH3NH3)n, R(NH2)2(R은 알킬 또는 플로오로알킬), (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH2) (CF2NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3), (CnF2n+1NH3) (n 및 x는 1 이상의 정수) 혹은 이들의 유도체, metal, Na, K, Rb, Cs, Fr 또는 이들의 조합이나 유도체를 포함하고,상기 B는 Pb, Mn, Cu, Ga, Ge, In, Al, Sb, Bi, Po, Sn, Eu, Yb, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd, Ca, Sr, 유기암모늄, 무기암모늄, 유기양이온, 이들의 조합 또는 이들의 유도체를 포함하며,상기 X는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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13
청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 유기발광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 13에 있어서,상기 유기발광체는 단일의 발광 유기물을 포함하는 것으로, 호스트 또는 도펀트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 13에 있어서,상기 유기발광체는 공액 고분자, 이의 유도체 또는 이들의 공중합체인 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 13에 있어서, 상기 유기발광체는 고분자 유기물과 저분자 유기물의 혼합물 또는 블렌드인 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 발광층에 포함된 페로브스카이트의 발광 파장은 200nm 내지 1300nm인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 발광층에 포함된 페로브스카이트의 크기는 1 nm 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판 상에 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 증착 방법을 이용하여, 서로 다른 밴드갭(band gap)을 갖는 제1 발광물질층과 제2 발광물질층을 교대로 1회 이상 적층하여 두 층 이상의 적층구조를 갖는 발광층을 형성시키는 단계; 및상기 발광층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하는 것으로,상기 제1 발광물질층은 페로브스카이트층이고, 상기 제2 발광물질층은 페로브스카이트층이거나 유기물층이고,엑시톤(exciton) 또는 전하 수송체(charge carrier)는 밴드갭이 더 작은 발광물질층 내에 공간적으로 속박되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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청구항 19에 있어서,상기 양극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공주입층을 형성시키는 단계; 또는상기 발광층과 상기 음극 사이에 배치된 전자수송층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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청구항 19에 있어서,상기 제1 발광물질층이 상기 제2 발광물질층보다 더 큰 밴드갭(band gap)을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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청구항 19에 있어서,상기 제1 발광물질층의 가전자대 최상단(VBM)의 에너지 준위는 상기 제2 발광물질층의 가전자대 최상단의 에너지 준위보다 낮으며, 상기 제1 발광물질층의 전자대 최하단(CBM)의 에너지 준위는 상기 제2 발광물질층의 전자대 최하단의 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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청구항 19에 있어서,상기 발광층의 가전자대 최상단(VBM)의 에너지 준위는 상기 양극의 일함수 준위보다 낮으며, 상기 발광층의 전자대 최하단(CBM)의 에너지 준위는 상기 음극의 일함수 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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청구항 20 있어서,상기 발광층의 가전자대 최상단(VBM)의 에너지 준위는 상기 양극의 일함수 준위 및 상기 정공주입층의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 준위보다 낮으며, 상기 발광층의 전자대 최하단(CBM)의 에너지 준위는 상기 음극의 일함수 준위 및 상기 전자수송층의 LUMO 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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기판 상에 음극을 형성하는 단계;상기 음극 상에 증착 방법을 이용하여, 서로 다른 밴드갭(band gap)을 갖는 제1 발광물질층과 제2 발광물질층을 교대로 1회 이상 적층하여 두 층 이상의 적층구조를 갖는 발광층을 형성시키는 단계; 상기 발광층 상에 양극을 형성하는 단계를 포함하는 것으로,상기 제1 발광물질층은 페로브스카이트층이고, 상기 제2 발광물질층은 페로브스카이트층이거나 유기물층이고,엑시톤(exciton) 또는 전하 수송체(charge carrier)는 밴드갭이 더 작은 발광물질층 내에 공간적으로 속박되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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청구항 25에 있어서,상기 음극과 상기 발광층 사이에 배치된 전자수송층을 형성시키는 단계; 또는상기 발광층과 상기 양극 사이에 배치된 정공주입층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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