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실리콘으로 이루어진 스트레인 게이지에 있어서,상기 스트레인 게이지는 막대 형상으로 이루어지며, 굽어져 형성된 적어도 하나의 굴곡부를 갖는 스트레인 게이지
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제1항에 있어서,상기 스트레인 게이지는 이어져 형성된 2개 이상의 굴곡부를 포함하는 스트레인 게이지
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제1항에 있어서,상기 스트레인 게이지는 S자 형상으로 굽어져 형성된 스트레인 게이지
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제1항에 있어서,상기 스트레인 게이지의 길이에 대한 상기 굴곡부의 곡률 반경의 비인 곡률 비율은 0
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제1항에 있어서,상기 굴곡부의 곡률 반경은 125㎛ 내지 540㎛인 스트레인 게이지
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실리콘으로 이루어지며 굽어진 굴곡부를 갖는 적어도 하나 이상의 제1 스트레인 게이지;실리콘으로 이루어지며 직선으로 이어져 형성된 적어도 하나 이상의 제2 스트레인 게이지; 및상기 제1 스트레인 게이지 및 상기 제2 스트레인 게이지와 연결되어 상기 제1 스트레인 게이지 및 상기 제2 스트레인 게이지의 의 저항을 측정하는 저항 측정기; 를 포함하는 변형률 측정 센서
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7
제6항에 있어서,상기 제1 스트레인 게이지는 이어져 형성된 2개 이상의 굴곡부를 포함하는 변형률 측정 센서
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8
제6항에 있어서,상기 제1 스트레인 게이지는 S자 형상으로 굽어져 형성된 변형률 측정 센서
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9
제6항에 있어서,상기 제1 스트레인 게이지는 길이 방향을 갖고, 일부 스트레인 게이지는 길이 방향이 평행하도록 배치되며, 다른 스트레인 게이지는 길이 방향이 교차하도록 배치된 변형률 측정 센서
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10
제6항에 있어서,상기 제1 스트레인 게이지의 길이에 대한 상기 굴곡부의 곡률 반경의 비인 곡률 비율은 0
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11
제6항에 있어서,상기 굴곡부의 곡률 반경은 125㎛ 내지 540㎛인 변형률 측정 센서
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제6항에 있어서,상기 제1 스트레인 게이지 및 상기 제2 스트레인 게이지는 스위치 역할을 하는 멀티플렉서를 매개로 상기 저항 측정기와 연결된 변형률 측정 센서
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