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기판;상기 기판 상에 위치하는 수분해 전극; 및상기 수분해 전극이 위치된 기판을 전체를 감싸고, 염기성에서 선택적으로 분해되는 봉지재 코팅막을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 봉지재는 하기 화학식1의 구조를 가지는 전구체들이 에스터 결합을 통해 가교결합된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자:화학식 1 : 상기 A는 수산화기, 카르복실기, 포화탄화수소기 또는 불포화탄화수소기를 포함하고, 상기 B는 카르복실기, 포화탄화수소기, 불포화탄화수소기 또는 수산화기를 포함하고, 상기 n은 1000 내지 10000인 것을 특징으로 함
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제1항에 있어서,상기 기판은 수용성 소재 포함하는 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자
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제2항에 있어서,상기 수용성 소재는 소듐/글리세린 화합물, 전분, 실크피브로인 또는 수용성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자
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제3항에 있어서,상기 수용성 고분자는 폴리비닐알콜(PVA), 폴리아크릴아마이드(PAM) 또는 폴리비닐피롤리돈(PVP)를 포함하는 합성고분자인 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자
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제3항에 있어서,상기 수용성 고분자는 키토산 또는 셀룰로오스를 포함하는 천연고분자인 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자
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제1항에 있어서,상기 수분해 전극은 Mg, W, Fe, Zn 또는 Mo을 포함하는 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자
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제1항에 있어서,상기 봉지재 코팅막의 두께는 10㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 수분해 전극을 형성하는 단계;상기 수분해 전극이 형성된 기판 전체를 에스터기를 포함하는 봉지재로 코팅하여 봉지재 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 봉지재 코팅막을 경화하는 단계를 포함하고, 상기 봉지재는 염기성 조건에서 분해되는 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 수분해 전극을 형성하는 단계는 증착을 수행하는 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 수분해 전극은 Mg, W, Fe, Zn 또는 Mo을 포함하는 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 봉지재 코팅막을 형성하는 단계는 압출, 캘린더, 침지, 블라스팅 또는 스프레드를 수행하는 것을 특징으로 하는 자연폐기 전자회로 소자 제조방법
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하기 화학식1의 구조를 가지는 전구체들이 에스터 결합을 통해 가교결합된 화합물을 포함하고, 염기성에서 선택적으로 분해되는 것을 특징으로 하는 봉지재:화학식 1 : 상기 A는 수산화기, 카르복실기, 포화탄화수소기 또는 불포화탄화수소기를 포함하고, 상기 B는 카르복실기, 포화탄화수소기, 불포화탄화수소기 또는 수산화기를 포함하고, 상기 n은 1000 내지 10000인 것을 특징으로 함
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