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채널에 형성되는 터널링 산화층; 상기 터널링 산화층의 일면에 형성되는 전하 저장층; 상기 전하 저장층의 일면에 유전체층 및 임프린트된 분극층으로 순차적으로 구성되는 음의 정전용량 블로킹 산화층; 및 상기 음의 정전용량 블로킹 산화층의 일면에 형성되는 게이트를 포함하는 비휘발성 메모리
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제1항에 있어서,상기 임프린트된 분극층은, 상기 게이트에 양의 전압이 인가됨에 응답하여 초기 정렬된 분극이 스위칭됨에 따라 유도되는 탈분극 전계-상기 탈분극 전계는 상기 스위칭된 분극의 전계와 반대 방향임-에 의해 음의 정전용량을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
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제2항에 있어서,상기 음의 정전용량 블로킹 산화층은, 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계에 의해 상기 유전체층에서 추가적으로 유도되는 내부 전계-상기 내부 전계는 상기 탈분극 전계와 반대 방향임- 및 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계에 기초하는 정전용량을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
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제3항에 있어서,상기 터널링 산화층에 인가되는 전계는, 상기 음의 전전용량 블로킹 산화층이 상기 유전체층의 내부 전계 및 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계에 기초하는 정전용량을 가짐에 따라, 증폭되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
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제2항에 있어서,상기 게이트에 인가되는 양의 전압은, 상기 스위칭된 분극의 보상 전하가 상기 임프린트된 분극층으로 주입되지 않도록 하는 짧은 펄스 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
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제1항에 있어서,상기 임프린트된 분극층으로는, 임프린트된 강유전체층 또는 임프린트된 반강유전체층이 사용되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
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제1항에 있어서,상기 임프린트된 분극층은, 상기 게이트에 양의 전압이 인가됨에 따라 분극이 스위칭되도록 일 방향으로 초기 정렬된 분극을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
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채널에 형성되는 터널링 산화층; 상기 터널링 산화층의 일면에 형성되는 전하 저장층; 상기 전하 저장층의 일면에 유전체층 및 임프린트된 분극층으로 순차적으로 구성되는 음의 정전용량 블로킹 산화층; 및 상기 음의 정전용량 블로킹 산화층의 일면에 형성되는 게이트를 포함하는 비휘발성 메모리의 동작 방법에 있어서,상기 게이트에 양의 전압을 인가하는 단계; 상기 게이트에 양의 전압이 인가됨에 응답하여 상기 임프린트된 분극층의 초기 정렬된 분극을 스위칭시키는 단계; 상기 임프린트된 분극층의 초기 정렬된 분극이 스위칭됨에 따라, 상기 임프린트된 분극층에서 상기 스위칭된 분극의 전계와 반대 방향인 탈분극 전계를 유도하는 단계; 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계에 의해 상기 유전체층에 상기 탈분극 전계와 반대 방향인 내부 전계를 추가적으로 유도하는 단계; 및 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계 및 상기 유전체층의 내부 전계에 기초하여 상기 음의 정전용량 블로킹 산화층을 차징 부스팅시키는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리의 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 차징 부스팅시키는 단계는, 상기 음의 정전용량 블로킹 산화층이 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계 및 상기 유전체층의 내부 전계에 기초하는 정전용량을 가짐에 따라, 상기 터널링 산화층에 인가되는 전계를 증폭시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 동작 방법
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채널에 터널링 산화층을 형성하는 단계; 상기 터널링 산화층의 일면에 전하 저장층을 형성하는 단계; 상기 전하 저장층의 일면에 유전체층 및 임프린트된 분극층을 순차적으로 구성하여 음의 정전용량 블로킹 산화층을 형성하는 단계; 및 상기 음의 정전용량 블로킹 산화층의 일면에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 음의 정전용량 블로킹 산화층을 형성하는 단계는, 상기 게이트에 양의 전압이 인가됨에 따라 분극이 스위칭되도록 일 방향으로 초기 정렬된 분극을 갖는 상기 임프린트된 분극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조 방법
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수직 방향으로 연장 형성되는 채널; 상기 채널에 맞닿도록 형성되는 적어도 하나의 터널링 산화층; 상기 적어도 하나의 터널링 산화층에 맞닿도록 형성되는 적어도 하나의 전하 저장층; 상기 적어도 하나의 전하 저장층에 맞닿도록 유전체층 및 임프린트된 분극층으로 순차적으로 구성되는 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층; 및 상기 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층에 맞닿도록 형성되는 복수의 게이트들을 포함하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리
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제12항에 있어서,상기 임프린트된 분극층은, 상기 복수의 게이트들 중 대응하는 게이트에 양의 전압이 인가됨에 응답하여 초기 정렬된 분극이 스위칭됨에 따라 유도되는 탈분극 전계-상기 탈분극 전계는 상기 스위칭된 분극의 전계와 반대 방향임-에 의해 음의 정전용량을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리
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제13항에 있어서,상기 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층은, 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계에 의해 상기 유전체층에서 추가적으로 유도되는 내부 전계-상기 내부 전계는 상기 탈분극 전계와 반대 방향임- 및 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계에 기초하는 정전용량을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리
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제14항에 있어서,상기 적어도 하나의 터널링 산화층에 인가되는 전계는, 상기 적어도 하나의 음의 전전용량 블로킹 산화층이 상기 유전체층의 내부 전계 및 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계에 기초하는 정전용량을 가짐에 따라, 증폭되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리
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제12항에 있어서,상기 임프린트된 분극층으로는, 임프린트된 강유전체층 또는 임프린트된 반강유전체층이 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리
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수직 방향으로 연장 형성되는 채널; 상기 채널에 맞닿도록 형성되는 적어도 하나의 터널링 산화층; 상기 적어도 하나의 터널링 산화층에 맞닿도록 형성되는 적어도 하나의 전하 저장층; 상기 적어도 하나의 전하 저장층에 맞닿도록 유전체층 및 임프린트된 분극층으로 순차적으로 구성되는 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층; 및 상기 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층에 맞닿도록 형성되는 복수의 게이트들을 포함하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리의 동작 방법에 있어서,상기 복수의 게이트들 중 어느 하나의 게이트에 양의 전압을 인가하는 단계; 상기 어느 하나의 게이트에 양의 전압이 인가됨에 응답하여 상기 어느 하나의 게이트에 대응하는 상기 임프린트된 분극층의 초기 정렬된 분극을 스위칭시키는 단계; 상기 임프린트된 분극층의 초기 정렬된 분극이 스위칭됨에 따라, 상기 임프린트된 분극층에서 상기 스위칭된 분극의 전계와 반대 방향인 탈분극 전계를 유도하는 단계; 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계에 의해 상기 유전체층에 상기 탈분극 전계와 반대 방향인 내부 전계를 추가적으로 유도하는 단계; 및 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계 및 상기 유전체층의 내부 전계에 기초하여 상기 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층을 차징 부스팅시키는 단계를 포함하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리의 동작 방법
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제17항에 있어서,상기 차징 부스팅시키는 단계는, 상기 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층이 상기 임프린트된 분극층의 탈분극 전계 및 상기 유전체층의 내부 전계에 기초하는 정전용량을 가짐에 따라, 상기 적어도 하나의 터널링 산화층에 인가되는 전계를 증폭시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리의 동작 방법
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채널을 수직 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 채널에 맞닿도록 상기 적어도 하나의 터널링 산화층을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 터널링 산화층에 맞닿도록 적어도 하나의 전하 저장층을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 전하 저장층에 맞닿도록 유전체층 및 임프린트된 분극층을 순차적으로 구성하여 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층을 형성하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층에 맞닿도록 복수의 게이트들을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 적어도 하나의 음의 정전용량 블로킹 산화층을 형성하는 단계는, 상기 복수의 게이트들 중 어느 하나의 게이트에 양의 전압이 인가됨에 따라 상기 어느 하나의 게이트에 대응하는 상기 임프린트된 분극층의 분극이 스위칭되도록 일 방향으로 초기 정렬된 분극을 갖는 상기 임프린트된 분극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 비휘발성 메모리의 제조 방법
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