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3차원 플래시 메모리에 있어서, 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함하고, 복수의 워드 라인들에 각각 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-; 및 상기 복수의 스트링들 각각에 수직으로 연결되는 상기 복수의 워드 라인들을 포함하고, 상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 워드 라인들 중 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 음의 프로그램 전압(Negative program voltage)이 인가됨에 응답하여 상기 프로그램 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 선택된 워드 라인에 인가되는 상기 음의 프로그램 전압 및 상기 복수의 스트링들 중 상기 대상 메모리 셀을 포함하는 선택된 스트링의 비트 라인에 인가되는 접지 전압 사이의 전위차를 통해 상기 선택된 스트링에 채널을 형성하여 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 프로그램 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 워드 라인들 중 상기 대상 메모리 셀에 인접하는 인접 메모리 셀들에 대응하는 비선택된 인접 워드 라인들 각각이 플로팅되거나 상기 비선택된 인접 워드 라인들 각각에 제1 패스 전압-상기 제1 패스 전압은 상기 복수의 워드 라인들 중 상기 대상 워드 라인 및 상기 비선택된 인접 워드 라인들을 제외한 비선택된 워드 라인들 각각에 인가되는 전압임-보다 작은 값의 제2 패스 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 선택된 워드 라인과 상기 비선택된 인접 워드 라인들 사이의 브레이크다운(Breakdown)을 개선하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제3항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 비선택된 워드 라인들 중 상기 인접 메모리 셀들에 이웃하는 이웃 메모리 셀들-상기 이웃 메모리 셀들은 상기 인접 메모리 셀들 각각에서 상기 대상 메모리 셀을 제외하고 인접한 메모리 셀을 포함함-에 대응하는 비선택된 이웃 워드 라인들에 인가되는 상기 제1 패스 전압에 의한 프린징 필드(Fringing field)로 상기 인접 메모리 셀들을 턴 온(Turn on) 시켜 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 프로그램 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 전하 저장층은, 강유전체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제5항에 있어서,상기 강유전체 물질은, 사방정계(Orthorhombic) 결정 구조를 갖는 HfOx, Al, Zr 또는 Si 중 적어도 하나의 물질이 도핑된 HfOx, PZT(Pb(Zr, Ti)O3), PTO(PbTiO3), SBT(SrBi2Ti2O3), BLT(Bi(La, Ti)O3), PLZT(Pb(La, Zr)TiO3), BST(Bi(Sr, Ti)O3), 티탄산바륨(barium titanate, BaTiO3), P(VDF-TrFE), PVDF, AlOx, ZnOx, TiOx, TaOx 또는 InOx 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 스트링들 중 상기 대상 메모리 셀을 포함하지 않는 비선택된 스트링들 각각에 채널을 형성하지 않음으로써, 상기 비선택된 스트링들 각각에 포함되는 메모리 셀들이 프로그램되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함하고, 복수의 워드 라인들에 각각 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-; 상기 복수의 스트링들 각각에 수직으로 연결되는 복수의 워드 라인들을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법에 있어서,상기 복수의 스트링들 중 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 스트링의 비트 라인에 접지 전압을 인가하는 단계; 상기 복수의 워드 라인들 중 상기 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 음의 프로그램 전압(Negative program voltage)을 인가하는 단계; 및 상기 선택된 스트링의 비트 라인에 접지 전압이 인가되고 상기 선택된 워드 라인에 음의 프로그램 전압이 인가됨에 응답하여 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 수행하는 단계는, 상기 선택된 워드 라인에 인가되는 상기 음의 프로그램 전압 및 상기 복수의 스트링들 중 상기 대상 메모리 셀을 포함하는 선택된 스트링의 비트 라인에 인가되는 접지 전압 사이의 전위차를 통해 상기 선택된 스트링에 채널을 형성하여 전하 또는 홀을 상기 대상 메모리 셀의 전하 저장층으로 전달함으로써 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 음의 프로그램 전압을 인가하는 단계는, 상기 복수의 워드 라인들 중 상기 대상 메모리 셀에 인접하는 인접 메모리 셀들에 대응하는 비선택된 인접 워드 라인들 각각을 플로팅시키거나 상기 비선택된 인접 워드 라인들 각각에 제1 패스 전압-상기 제1 패스 전압은 상기 복수의 워드 라인들 중 상기 대상 워드 라인 및 상기 비선택된 인접 워드 라인들을 제외한 비선택된 워드 라인들 각각에 인가되는 전압임-보다 작은 값의 제2 패스 전압을 인가함에 응답하여, 상기 선택된 워드 라인과 상기 비선택된 인접 워드 라인들 사이의 브레이크다운(Breakdown)을 개선하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법
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제10항에 있어서,상기 음의 프로그램 전압을 인가하는 단계는, 상기 비선택된 워드 라인들 중 상기 인접 메모리 셀들에 이웃하는 이웃 메모리 셀들-상기 이웃 메모리 셀들은 상기 인접 메모리 셀들 각각에서 상기 대상 메모리 셀을 제외하고 인접한 메모리 셀을 포함함-에 대응하는 비선택된 이웃 워드 라인들에 인가되는 상기 제1 패스 전압에 의한 프린징 필드(Fringing field)로 상기 인접 메모리 셀들을 턴 온(Turn on) 시키는 단계를 포함하고, 상기 수행하는 단계는, 상기 인접 메모리 셀들이 턴 온 됨에 응답하여 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 수행하는 단계는, 상기 비선택된 스트링들 각각에 채널을 형성하지 않음으로써, 상기 비선택된 스트링들 각각에 포함되는 메모리 셀들이 프로그램되는 것을 방지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법
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