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기판 표면에 티타늄 완충층과 금속촉매층을 순차적으로 증착시키는 단계;
티타늄 분말을 알루미나 보트에 담고 상기 알루미나 보트의 상부에 상기 기판 표면을 대향 배치한 후, 상기 기판이 배치된 알루미나 보트를 튜브에 삽입하는 단계;
상기 튜브를 화학기상증착장치의 가열로 내부의 중앙까지 장입하는 단계;
불활성 가스를 유입시키면서 상기 가열로 내부를 40℃/min 내지 60℃/min의 승온 속도로 900℃ 내지 1200℃의 온도까지 승온시키고, 상기 승온된 온도를 20분 내지 40분간 유지시키는 단계;
상기 가열로 내부의 승온을 중단하고, 상기 가열로 내부에 산소가스를 유입시키는 단계; 및
상기 산소가스의 유입을 중단하고, 상기 가열로 내부를 냉각시키는 단계를 포함하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판 또는 실리카 기판인 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리카 기판인 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 티타늄 완충층은 100㎚ 내지 800㎚의 두께로 증착시키는 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속촉매층은 금(Au), 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전이금속으로 증착된 것임을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속촉매층은 10㎚ 내지 100㎚의 두께로 증착시키는 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 티타늄 완충층 및 상기 금속촉매층은 아르곤 가스 존재하의 1×10-3 torr 내지 1×10-2 torr의 압력에서 RF-마그네트론스퍼터에 의해 증착시키는 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 티타늄 분말의 평균 입경은 10㎛ 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 튜브 및 가열로는 실리카로 이루어진 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 불활성가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크세논, 크립톤 및 라돈으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 가스인 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 불활성가스는 50sccm 내지 500sccm의 유량속도로 유입시키는 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 산소가스는 0
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제1항 내지 제9항 또는 제11항 내지 13항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해서 제조된 티타니아 나노와이어
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제14항에 있어서, 상기 티타니아 나노와이어는 50㎚ 내지 100㎚의 직경 및 1㎛ 내지 10㎛의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어
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제14항에 있어서, 상기 티타니아 나노와이어는 루타일상을 갖는 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어
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제14항에 있어서, 상기 티타니아 나노와이어는 실리카 기판 상에 형성된 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어
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제14항에 있어서, 상기 티타니아 나노와이어는 단결정구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 티타니아 나노와이어
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