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양성자 빔을 이용한 나노와이어 트랜지스터의 작동모드 제어방법

  • 기술번호 : KST2014008137
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양성자 빔을 이용하여 나노와이어 트랜지스터의 작동모드를 제어하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 나노와이어를 이용하여 제작된 전계효과 트랜지스터에 고 에너지 양성자 빔을 조사하여, 조사하는 양성자 빔의 도즈량에 따라 나노와이어 트랜지스터의 작동모드를 공핍형 모드 또는 증식형 모드로 선택적으로 형성할 수 있도록 구성된 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터의 작동모드 제어 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 실리콘 산화막이 형성되어 있는 실리콘 기판 위에 반도체 나노와이어를 도포한 후 소스와 드레인 전극을 형성하여 구성되는 반도체 나노와이어 트랜지스터의 작동모드를 제어하는 방법에 있어서, 도포된 반도체 나노와이어에 양성자 빔을 조사하여, 조사하는 양성자 빔의 도즈량에 따라 반도체 나노와이어 트랜지스터의 작동모드를 공핍형 모드 또는 증식형 모드로 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양성자 빔을 이용한 반도체 나노와이어 트랜지스터 작동모드 제어 방법을 제공한다. 나노와이어, 트랜지스터, 작동모드, 증식형, 공핍형, 양성자 빔, 빔 조사
Int. CL H01L 29/78 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020070070003 (2007.07.12)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0907241-0000 (2009.07.03)
공개번호/일자 10-2009-0006556 (2009.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20090710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍웅기 대한민국 광주광역시 북구
2 이탁희 대한민국 광주광역시 광산구
3 김계령 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신운철 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *(삼성동) 우경빌딩*층(가디언국제특허법률사무소)
2 강성균 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0507831-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0061828-83
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0611777-36
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0040873-72
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0040874-17
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0230811-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 산화막이 형성되어 있는 실리콘 기판 위에 반도체 나노와이어를 도포한 후 소스와 드레인 전극을 형성하여 구성되는 반도체 나노와이어 트랜지스터의 작동모드를 제어하는 방법에 있어서, 도포된 반도체 나노와이어에 양성자 빔을 조사하여, 조사하는 양성자 빔의 도즈량에 따라 반도체 나노와이어 트랜지스터의 작동모드를 공핍형 모드 또는 증식형 모드로 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양성자 빔을 이용한 반도체 나노와이어 트랜지스터 작동모드 제어 방법
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제 1항에 있어서, 상기 양성자 빔의 조사는 실리콘 기판 위에 반도체 나노와이어를 도포한 후 이루어지는 반도체 나노와이어 트랜지스터의 제조공정 중에 실시하는 것을 특징으로 하는 양성자 빔을 이용한 반도체 나노와이어 트랜지스터 작동모드 제어 방법
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제 1항에 있어서, 상기 양성자 빔의 조사는 반도체 나노와이어 트랜지스터의 제조가 완료된 후에 실시하는 것을 특징으로 하는 양성자 빔을 이용한 반도체 나노와이어 트랜지스터 작동모드 제어 방법
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제 1항에 있어서, 상기 양성자 빔의 조사는, 공핍형 모드일 경우, 109~1010protons/cm2의 도즈량으로, 10초~1분의 시간동안, 10~40MeV의 에너지를 갖는 양성자 빔을 조사하고, 증식형 모드일 경우, 1011~1012protons/cm2의 도즈량으로, 5분~60분의 시간동안, 10~40MeV의 에너지를 갖는 양성자 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 양성자 빔을 이용한 반도체 나노와이어 트랜지스터 작동모드 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.