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나노구조물들의 교차 구조들의 제조

  • 기술번호 : KST2014030453
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노와이어 및 탄소 나노튜브와 같은 나노구조물들의 교차 구조들을 제조하는 기술이 제공된다. 일 실시예에 따르면, 나노구조물들의 교차 구조들을 제조하는 방법은, 기판을 제공하는 단계, 기판에 제1 마스크 층을 패터닝하는 단계, 제1 마스크 층이 존재하지 않는 기판의 표면 영역들에 제1 나노구조물들을 흡착하는 단계, 제1 마스크 층을 기판으로부터 제거하는 단계, 제1 나노구조물들이 흡착된 기판에 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계, 및 나노구조물들의 교차 구조들을 제조하는데 효과적인 조건들 하에서, 제2 마스크 층이 존재하지 않는 기판의 표면 영역들에 제2 나노구조물들을 흡착하는 단계를 포함한다. 나노 기술, 나노구조물, 탄소 나노튜브, 나노와이어
Int. CL B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) H01L 29/775 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080075897 (2008.08.04)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1045128-0000 (2011.06.22)
공개번호/일자 10-2010-0015017 (2010.02.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.04)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍 승훈 대한민국 서울특별시 송파구
2 박 성영 대한민국 서울특별시 관악구
3 남궁 선 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 백만기 대한민국 서울특별시 중구 정동길 **-**, **층 (정동, 정동빌딩)(김.장 법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0558605-78
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0100050-68
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0647466-83
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0801505-45
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0060074-20
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0141892-44
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0383004-94
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0708505-99
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0786105-46
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0786098-14
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0292543-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노구조물들의 교차 구조들을 제조하기 위한 방법으로서, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판에 제1 마스크 층을 패터닝하는 단계; 상기 제1 마스크 층이 존재하지 않는 상기 기판의 표면 영역들에 제1 나노구조물들을 흡착하는 단계; 상기 제1 마스크 층을 상기 기판으로부터 제거하는 단계; 상기 제1 나노구조물들이 조립된 상기 기판에 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계; 및 나노구조물들의 교차 구조들을 제조하는데 효과적인 조건들 하에서, 상기 제2 마스크 층이 존재하지 않는 상기 기판의 표면 영역들에 제2 나노구조물들을 흡착하는 단계 를 포함하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 나노구조물들은 나노와이어들인 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 나노구조물들은 탄소 나노튜브들인 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 나노구조물들은 나노와이어들인 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 나노구조물들은 탄소 나노튜브들인 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 마스크 층을 패터닝하는 단계는 포토리소그래피 방법에 의해 수행되는 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 마스크 층은 포토레지스트 물질을 포함하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 나노구조물들을 흡착하는 단계는 상기 제1 나노구조물들을 포함하는 용액에 상기 패터닝된 기판을 위치시키는 단계를 포함하는 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 나노구조물들을 흡착하는 단계는 상기 기판에 전위(electric potential)를 인가하는 단계를 더 포함하는 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계는 포토리소그래피, 딥펜 나노리소그래피(dip-pen nanolithography) 및 마이크로컨택트 프린팅(microcontact printing)을 포함하는 군으로부터 선택되는 분자 패터닝 방법에 의해 수행되는 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계는 소수성 분자 층(hydrophobic molecular layer)을 패터닝하는 단계를 포함하는 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계는 자기조립 단분자막(self-assembled monolayer)을 패터닝하는 단계를 포함하는 방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계는 포토리소그래피에 의해 수행되는 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계는, 상기 제1 나노구조물들이 조립된 기판에 포토레지스트 층을 패터닝하는 단계; 상기 포토레지스트 층이 존재하지 않는 상기 기판의 표면 영역들에 상기 제2 마스크 층을 퇴적시키는데 효과적인 조건들 하에서, 제2 마스크 층용 물질을 포함하는 용액에 상기 기판을 위치시키는 단계; 및 상기 포토레지스트 층을 상기 기판으로부터 제거하는 단계 를 포함하는 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계는, 제2 마스크 층용 물질을 포함하는 상기 용액에 상기 기판을 위치시키기 전에, 상기 기판을 무수 물질(anhydrous material)로 헹구는 단계를 더 포함하는 방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 포토레지스트 층을 패터닝하는 단계는 10분 미만의 베이킹 시간으로 수행되는 방법
17 17
제14항에 있어서, 제2 마스크 층용 물질을 포함하는 용액에 상기 기판을 위치시키는 단계는 1-옥타데칸티올(1-ODT; 1-octadecanethiol) 및 옥타데실트리클로로실란(OTS; octadecyltrichlorosilane)을 포함하는 군으로부터 선택되는 화합물을 포함하는 용액에 상기 기판을 위치시키는 단계를 포함하는 방법
18 18
제1항에 있어서, 상기 제2 나노구조물들을 흡착하는 단계는 제2 나노구조물들을 포함하는 용액에 상기 패터닝된 기판을 위치시키는 단계를 포함하는 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 제2 나노구조물들을 흡착하는 단계는 상기 기판에 전위를 인가하는 단계를 더 포함하는 방법
20 20
기판을 제공하는 단계; 상기 기판에 제1 마스크 층을 패터닝하는 단계; 상기 제1 마스크 층이 존재하지 않는 상기 기판의 표면 영역들에 제1 나노구조물들을 흡착하는 단계; 상기 제1 마스크 층을 상기 기판으로부터 제거하는 단계; 상기 제1 나노구조물들이 조립된 상기 기판에 제2 마스크 층을 패터닝하는 단계; 및 나노구조물들의 교차 구조들을 제조하는데 효과적인 조건들 하에서, 상기 제2 마스크 층이 존재하지 않는 상기 기판의 표면 영역들에 제2 나노구조물들을 흡착하는 단계 를 포함하는 방법에 의해 제조되는 나노구조물들의 교차 구조
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101645391 CN 중국 FAMILY
2 JP05336140 JP 일본 FAMILY
3 JP22041019 JP 일본 FAMILY
4 US08227179 US 미국 FAMILY
5 US20100028814 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101645391 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101645391 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE102008051159 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 DE102008051159 DE 독일 DOCDBFAMILY
5 JP2010041019 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5336140 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2010028814 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8227179 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.