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복합 유전체 박막과, 이를 이용한 캐패시터 및 전계 효과 트랜지스터와, 이들 각각의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036331
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상온에서 증착되면서도 높은 유전상수와 낮은 누설 전류 특성 및 높은 절연 파괴 전압을 동시에 가질 수 있는 복합 유전체 박막과, 이를 이용한 커패시터 및 전계 효과 트랜지스터와, 이들 각각의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 5 ℃ 내지 200 ℃의 상온에서 증착되며, 비정질 유전체 매트릭스 내에 결정질 절연성 충진제가 균일하게 분포되어 있거나, 부분적으로 나노결정질이 포함되어 있는 유전체 매트릭스 내에 비정질의 절연성 충진제가 균일하게 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 유전체 박막을 제공한다. 이러한 복합 유전체 박막은 커패시터의 유전체 층과, 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막으로 응용될 수 있다. 복합 유전체 박막, 충진제, 게이트 절연막, 트랜지스터, 커패시터, 상온 증착
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 27/108 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020080064112 (2008.07.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1038238-0000 (2011.05.25)
공개번호/일자 10-2009-0116587 (2009.11.11) 문서열기
공고번호/일자 (20110601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080041967   |   2008.05.06
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울특별시 동작구
2 김호기 대한민국 서울특별시 강남구
3 조남규 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0479579-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0003799-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0279780-22
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0562073-86
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0613845-02
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0613844-56
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0010309-01
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0030256-91
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0030270-20
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0263634-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
200 ℃ 이상에서는 변형이 일어나는 플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판 상에 5 내지 200 ℃의 상온에서 증착되며, 비정질 유전체 매트릭스 내에 결정질 절연성 충진제가 균일하게 분포되어 있거나, 부분적으로 나노결정질이 포함되어 있는 유전체 매트릭스 내에 비정질의 절연성 충진제가 균일하게 분포되어 있으며, 상기 충진제는 MgO, Al2O3, SiO2 및 LaAlO3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이고, (유전체)1-x-(충진제)x (x=0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 유전체는 산화탄탈륨 (Ta2O5), 스트론튬 티타네이트 (SrTiO3), 산화이트륨 (Y2O3), 지르코네이트 (ZrO2), 바륨 스트론튬 티타네이트 ((Ba,Sr)TiO3), 바륨 지르코네이트 티타네이트 ((Ba,Zr)TiO3), 하퓨늄산화물 (HfO2), 알루미나 (Al2O3), 티타네이트 (TiO2), Bi1
4 4
삭제
5 5
200 ℃ 이상에서는 변형이 일어나는 플라스틱 기판 상에, (유전체)1-x-(충진제)x (x=0
6 6
제5항에 있어서, 상기 세라믹 타겟은, 상기 유전체를 구성하는 각 분말들을 혼합하고 소결하여 합성한 유전체 합성 분말과, 상기 충진제 분말을 혼합, 성형 및 소결하여 얻는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 소자의 제조 방법
7 7
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8 8
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9 9
제5항에 있어서, 상기 유전체는 산화탄탈륨 (Ta2O5), 스트론튬 티타네이트 (SrTiO3), 산화이트륨 (Y2O3), 지르코네이트 (ZrO2), 바륨 스트론튬 티타네이트 ((Ba,Sr)TiO3), 바륨 지르코네이트 티타네이트 ((Ba,Zr)TiO3), 하퓨늄산화물 (HfO2), 알루미나 (Al2O3), 티타네이트 (TiO2), Bi1
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11 11
200 ℃ 이상에서는 변형이 일어나는 플라스틱 기판, 상기 기판 상의 제1 및 제2 전극과, 이들 두 전극 사이에 개재된 유전체 층을 포함하여 이루어진 커패시터에 있어서, 상기 유전체 층은, 상기 플라스틱 기판 상에 5 내지 200 ℃의 상온에서 증착되며, 비정질 유전체 매트릭스 내에 결정질 절연성 충진제가 균일하게 분포되어 있거나, 부분적으로 나노결정질이 포함되어 있는 유전체 매트릭스 내에 비정질의 절연성 충진제가 균일하게 분포되어 있으며, 상기 충진제는 MgO, Al2O3, SiO2 및 LaAlO3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이고, (유전체)1-x-(충진제)x (x=0
12 12
200 ℃ 이상에서는 변형이 일어나는 플라스틱 기판 상에, 제1 전극, 유전체 층 및 제2 전극을 차례로 형성하는 커패시터의 제조 방법에 있어서, 상기 유전체 층은, (유전체)1-x-(충진제)x (x=0
13 13
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14 14
200 ℃ 이상에서는 변형이 일어나는 플라스틱 기판, 상기 기판 상의 소스, 게이트 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극으로부터 나온 캐리어가 상기 드레인 전극으로 이동하는 통로인 채널 영역과, 상기 게이트 전극과 상기 채널 영역 사이에 형성된 게이트 절연막을 포함하여 이루어진 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막은, 상기 플라스틱 기판 상에 5 내지 200 ℃의 상온에서 증착되며, 비정질 유전체 매트릭스 내에 결정질 절연성 충진제가 균일하게 분포되어 있거나, 부분적으로 나노결정질이 포함되어 있는 유전체 매트릭스 내에 비정질의 절연성 충진제가 균일하게 분포되어 있으며, 상기 충진제는 MgO, Al2O3, SiO2 및 LaAlO3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이고, (유전체)1-x-(충진제)x (x=0
15 15
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16 16
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08558324 US 미국 FAMILY
2 US20090278211 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009278211 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8558324 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.