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3차원 나노구조의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015121171
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세 다공성 막(membrane)을 템플레이트(template)로 사용한 3차원 나노구조 어레이의 제조에 관한 것으로서 제조 방법이 신속하고 신뢰성 있는 방법을 제공한다. 더욱 상세하게는 3차원의 나노파이버 또는 튜브 형태를 갖는 잘 정렬된 어레이를 형성하기 위한 간단한 방법을 제공하며, 이러한 방법으로 제조된 3차원 나노구조는 단위면적당의 표면적을 극대화할 수 있어 나노 분리막, 자기 기록장치, 나노 냉각기 및 다공성 템플레이트 막을 이용한 대면적 금속 및 기능성 세라믹 소자 등의 장치 및 시스템의 구성에 이용함으로써 효율을 극대화할 수 있는 방법을 제공한다.계면반응법, 3차원, 나노구조, 어레이, 나노튜브, 나노파이버
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020050102342 (2005.10.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0672872-0000 (2007.01.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍재민 대한민국 서울 성북구
2 손원일 대한민국 서울 송파구
3 김일두 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0618525-06
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0698886-15
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0605156-38
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0915619-67
5 의견서
Written Opinion
2006.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0915646-90
6 등록결정서
Decision to grant
2006.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0774929-33
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 직경이 수 나노미터에서 수십 마이크로미터인 다공성 고분자막을 개시제로서의 산화제 또는 모노머 개시제 수용액 위에 올리는 단계;ii) 상기 다공성 고분자막에 모노머를 유기용매에 용해시킨 용액을 부어 서로 혼합되지 않는 수상과 유기용매상의 계면에서 모노머를 확산시켜 고분자막 표면에 모노머의 중합체를 형성시키는 단계;iii) 모노머 중합체 형성 후에 다공성 고분자막을 제거하여 3차원 나노구조체 어레이를 형성하는 단계; 및iv) 상기 3차원 나노구조체 어레이에 금속 또는 산화무기물을 코팅하여 3차원 나노구조의 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 3차원 나노구조 복합체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 iii)에서 3차원 나노구조체 어레이가 유기 고분자, 금속 또는 무기물 또는 이들의 혼합물 또는 복합체로 이루어진 것인 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 유기 고분자가 폴리카르보네이트, 폴리디메틸페닐렌 옥사이드, 폴리설폰, 폴리이미드, 폴리피롤, 폴리아닐린, 천연 고무, 실리콘 고분자, 폴리(1-트리메틸실릴-1-프로핀), 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 및 이들의 혼합물 및 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 단계 iv)에서 상기 금속이 Pt, Au, Ag, Al, Cr, Mo, Ti, Sn 또는 Cu인 방법
7 7
제1항에 있어서, 단계 iv)에서 상기 산화무기물이 다공성의 타이타니아 (TiO2), 실리카 (SiO2), 지르코니아 (ZrO2), 산화아연 (ZnO), 산화주석 (SnO2), 산화마그네슘 (MgO), 산화텅스텐 (WO3), 바륨타이타네이트 (BaTiO3), 레드지르코늄타이타네이트 [(Pb,Zr)TiO3], 칼슘카파타이타네이트 (CaCu3Ti4O12), 비스무스징크나이오베이트 (Bi1
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 iii)에서 형성된 3차원 나노구조체 어레이 대신에 i) 다공성 고분자막을 무기물 또는 금속염 수용액 위에 올리는 단계;ii) 상기 다공성 고분자막에 금속염의 환원제를 유기용매에 용해시킨 용액을 부어 서로 혼합되지 않는 계면에서 금속이온을 환원시켜 다공성 고분자막 표면에 금속 구조물을 생성시키는 단계;iii) 금속이온 환원 후에 상기 다공성 고분자막을 제거하는 단계에 의해 얻어진 금속 구조물을 사용하는 것인 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 단계 i)에서 사용되는 금속염이 황산금, 시안화금, 인산니켈, 황산니켈 또는 황산구리인 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 단계 i)에서 사용되는 무기물이 다공성 타이타니아 (titania), 실리카 (silica), 지르코니아 (zirconia), 산화아연 (ZnO), 산화주석 (SnO2), 산화철 (Fe2O3), 알루미나 (alumina), 카본 (carbon), 유리 (glass), SUS (stainless steel), 은 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것이 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20070100086 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007100086 US 미국 DOCDBFAMILY
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