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기판; 상기 기판 상의 접촉층; 상기 접촉층의 일부를 노출시키는 다수의 금속 패턴; 및 상기 접촉층의 노출된 면을 통하여 재성장된 반도체층을 구비하는 발광 구조체를 포함하며, 상기 접촉층은 상기 금속 패턴의 하부 영역에 공동을 구비하고, 상기 공동은광결정 구조를 형성하며, 상기 접촉층의 수소 라디칼 반응에 따른 분해에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 접촉층은 n형 불순물이 도핑 또는 주입된 단결정 반도체층으로, 질소를 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 2항에 있어서, 상기 접촉층은 NCO층, BN층, AlN층, GaN층 및 AlxGa(1-x)N(0≤x≤1)층 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 금속 패턴은 용융점이 1000℃ 이상인 내화 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 4항에 있어서, 상기 금속 패턴은 질화 가능한 내화 금속인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 5항에 있어서, 상기 금속 패턴은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈럼(Ta), 니켈(Ni), 백금(Pt), 크롬(Cr)및 티타늄(Ti) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 금속 패턴은 광투과가 가능한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 7항에 있어서, 상기 금속 패턴의 두께는 0
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제 1항에 있어서, 상기 발광 구조체는 상기 재성장된 반도체층으로 이루어지는 제 1 반도체층 상의 활성층과, 상기 활성층 상의 제 2 반도체층을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 9항에 있어서, 상기 제 1 반도체층은 접촉층과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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기판; 상단부에 광결정 구조를 포함하는 상기 기판 상의 접촉층 ; 및 상기 접촉층을 통하여 재성장된 반도체층을 구비하는 발광 구조체를 포함하며, 상기 광결정 구조는 상기 접촉층의 상단에 형성된 공동을 포함하고, 상기 공동은 상기 접촉층의 수소 라디칼 반응에 따른 상기 접촉층의 분해에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 11항에 있어서, 상기 접촉층은 n형 불순물이 도핑 또는 주입된 단결정 반도체층으로, 질소를 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 12항에 있어서, 상기 접촉층은 NCO층, BN층, AlN층, GaN층 및 AlxGa(1-x)N(0≤x≤1)층 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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기판 상에 접촉층을 형성하는 단계; 상기 접촉층 상에 금속 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 패턴이 형성된 접촉층 상에 제 1 반도체층을 형성함과 동시에 상기 금속 패턴 하부 영역에 공동을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 패턴은 질화 가능한 내화 금속이며, 상기 제 1 반도체층 및 공동을 형성하는 단계는 수소 분위기에서 ELO법을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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삭제
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제 14항에 있어서, 상기 공동은 접촉층 및 금속 패턴이 수소 라디칼 반응에 의하여 질화 금속을 생성하며 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 17항에 있어서, 상기 금속 패턴은 수소 라디칼 반응에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 14항에 있어서, 상기 금속 패턴은 0
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