맞춤기술찾기
이전대상기술
플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자
- 기술번호 : KST2014046858
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법은 상기 방법은 복수의 소스, 드레인 영역을 포함하는 실리콘 기판상에 절연막을 적층하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 식각하여, 상기 실리콘 기판을 노출시킴으로써 상기 소스, 드레인 영역을 포함하는 소자 형성 영역을 정의하는 단계; 상기 절연막을 통하여 노출된 실리콘 기판을 비등방식각하는 단계; 및 상기 실리콘 기판으로부터 상기 비등방 식각된 소자 형성 영역을 PDMS에 의하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 소자 형성 영역 상의 절연막 너비를 달리함으로써, 상기 소자 형성 영역을 상기 플렉서블 기판에 선택적으로 전사시키며, 요철 모양, 즉 일정한 단차가 있는 PDMS를 별도로 제조, 사용한 종래기술과 달리 평탄한 PDMS를 사용하여 선택적 전사를 함으로써 기존 기술의 단점, 예를 들면 PDMS의 새깅효과, 원하지 않는 반도체 소자의 전사, 낮은 정렬도 등을 효과적으로 극복할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/7842(2013.01) H01L 29/7842(2013.01) H01L 29/7842(2013.01) H01L 29/7842(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090087458 (2009.09.16) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1098560-0000 (2011.12.19) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0029677 (2011.03.23) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20111226) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.09.16) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이건재 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 윤춘섭 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 3 | 이상용 | 대한민국 | 광주광역시 광산구 |
| 4 | 김승준 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 5 | 박귀일 | 대한민국 | 경상북도 구미시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김강욱 | 대한민국 | 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.09.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0569304-22 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.04.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0186085-95 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.05.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0403603-80 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0403601-99 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.12.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0732147-35 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 플렉서블 소자 제조방법에 있어서, 상기 방법은 복수의 소스, 드레인 영역을 포함하는 실리콘 기판상에 절연막을 적층하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 식각하여, 상기 실리콘 기판을 노출시킴으로써 상기 소스, 드레인 영역을 포함하는 소자 형성 영역을 정의하는 단계; 상기 절연막을 통하여 노출된 실리콘 기판을 비등방식각하는 단계; 및 상기 실리콘 기판으로부터 상기 비등방 식각된 소자 형성 영역을 PDMS에 의하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 소자 형성 영역 상의 절연막 너비를 달리함으로써, 상기 소자 형성 영역을 상기 플렉서블 기판에 선택적으로 전사시키는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 PDMS는 평탄면을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 비등방 식각된 소자 형성 영역을 상기 플렉서블 기판으로 전사시킨 단계 후, 상기 소자 형성 영역 상에 소스, 게이트, 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 소자 형성 영역 상의 절연부 너비가 좁을수록, 상기 소자 형성 영역은 상부의 절연부 너비가 더 넓은 다른 소자 형성 영역보다 먼저 전사되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 비등방 식각 단계는 소자 형성 영역 사이의 실리콘 기판을 소정 깊이만큼 제 1 식각하여 제 1 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제 1 트렌치의 측면에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제 1 트렌치의 하부를 소정 깊이만큼 제 2 식각하여 제 2 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 제 2 트렌치를 비등방식각하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 플렉서블 소자 제조방법에 있어서, 상기 방법은, 소스, 드레인 영역을 포함하는 실리콘 기판상에 절연막을 적층하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 식각하여, 상기 실리콘 기판을 노출시킴으로써 상기 소스, 드레인 영역을 포함하는 소자 형성 영역을 정의하도록 상기 절연막을 패터닝하는 단계; 상기 소자 형성 영역 중 전사를 원하지 않는 영역 상에 보호막을 선택적으로 적층하는 단계; 상기 절연막 및 보호막을 통하여 노출된 실리콘 기판을 비등방식각하는 단계; 및 상기 비등방 식각된 소자 형성 영역을 PDMS에 의하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 제 7항에 있어서, 상기 PDMS는 평탄면을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 10 |
10 제 7항에 있어서, 상기 방법은 상기 비등방 식각된 소자 형성 영역을 PDMS에 의하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계 후, 플라스틱 기판에 전사된 상기 소자 형성 영역 상에 소스, 게이트, 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 11 |
11 제 7항에 있어서, 상기 비등방 식각 단계는 소자 형성 영역 사이의 실리콘 기판을 소정 깊이만큼 제 1 식각하여 제 1 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제 1 트렌치의 측면에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제 1 트렌치의 하부를 소정 깊이만큼 제 2 식각하여 제 2 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 제 2 트렌치를 비등방식각하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 스페이서의 두께는 상기 절연막 두께 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 13 |
13 삭제 |
| 14 |
14 플렉서블 소자 제조방법에 있어서, 상기 방법은, 소스, 드레인 영역을 포함하는 실리콘 기판상에 절연막을 적층하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 식각하여, 상기 실리콘 기판을 노출시킴으로써 상기 소스, 드레인 영역을 포함하는 소자 형성 영역을 정의하도록 상기 절연막을 패터닝하는 단계; 상기 소자 형성 영역 중 전사를 원하지 않는 영역 상에 보호막을 선택적으로 적층하는 단계; 상기 보호막을 식각하여 상기 보호막이 일정한 두께차를 갖도록 상기 보호막을 식각하는 단계; 상기 절연막 및 보호막을 통하여 노출된 제 1 소자 형성 영역의 실리콘 기판을 비등방식각한 후, 상기 비등방식각된 제 1 소자 형성 영역을 PDMS에 의하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계; 상기 보호막을 식각하여, 상기 보호막 중 얇은 두께의 보호막이 형성된 제 2 소자 형성 영역을 노출시키는 단계; 및 상기 제 2 소자 형성 영역의 실리콘 기판을 비등방식각한 후, 상기 비등방 식각된 제 2 소자 형성 영역을 PDMS에 의하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 PDMS는 평탄면을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 16 |
16 제 14항에 있어서, 상기 방법은 상기 비등방 식각된 제 2 소자 형성 영역을 PDMS에 의하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계 후, 플라스틱 기판에 전사된 상기 소자 형성 영역 상에 소스, 게이트, 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 17 |
17 제 14항에 있어서, 상기 비등방 식각 단계는 소자 형성 영역 사이의 실리콘 기판을 소정 깊이만큼 제 1 식각하여 제 1 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제 1 트렌치의 측면에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제 1 트렌치의 하부를 소정 깊이만큼 제 2 식각하여 제 2 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 제 2 트렌치를 비등방식각하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 18 |
18 제 14항에 있어서, 상기 보호막의 두께(h2)는 상기 절연막의 두께(h1)와 상기 절연막에 대한 상기 보호막의 선택 에칭 비율을 곱한 값보다 적은 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1098560-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090916 출원 번호 : 1020090087458 공고 연월일 : 20111226 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111211 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2011년 12월 20일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2014년 11월 27일 | 납입 |
| 제 5 - 7 년분 | 금 액 | 1,128,600 원 | 2015년 12월 08일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 335,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 335,000 원 | 2019년 11월 26일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.09.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0569304-22 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2011.04.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0186085-95 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.05.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0403603-80 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0403601-99 |
| 5 | 등록결정서 | 2011.12.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0732147-35 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014046858 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술원 |
| 기술명 | 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자 |
| 기술개요 |
플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법은 상기 방법은 복수의 소스, 드레인 영역을 포함하는 실리콘 기판상에 절연막을 적층하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 식각하여, 상기 실리콘 기판을 노출시킴으로써 상기 소스, 드레인 영역을 포함하는 소자 형성 영역을 정의하는 단계; 상기 절연막을 통하여 노출된 실리콘 기판을 비등방식각하는 단계; 및 상기 실리콘 기판으로부터 상기 비등방 식각된 소자 형성 영역을 PDMS에 의하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 소자 형성 영역 상의 절연막 너비를 달리함으로써, 상기 소자 형성 영역을 상기 플렉서블 기판에 선택적으로 전사시키며, 요철 모양, 즉 일정한 단차가 있는 PDMS를 별도로 제조, 사용한 종래기술과 달리 평탄한 PDMS를 사용하여 선택적 전사를 함으로써 기존 기술의 단점, 예를 들면 PDMS의 새깅효과, 원하지 않는 반도체 소자의 전사, 낮은 정렬도 등을 효과적으로 극복할 수 있다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 소자응용기술 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345145475 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0088402 |
| 연구과제명 | 마이크로스트럭쳐 반도체(μs-Sc)기술을 활용한 플렉서블 고감도 바이오 센서 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200909~201208 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
| 과제고유번호 | 1345156443 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0068063 |
| 연구과제명 | 바이오-IT 융합 기술을 위한 인쇄가능한 반도체 재료 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201204 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345158424 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0009903 |
| 연구과제명 | 플렉시블 디스플레이 신모드 개발 및 특성 향상 기술 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200709~201602 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415100601 |
|---|---|
| 세부과제번호 | KI001916 |
| 연구과제명 | 모바일플렉시블입출력플랫폼 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200803~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020120093852] | 다층 구조의 이차전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020120078872] | 플렉서블 압전소자를 이용한 전기발생장치 및 센서 네트워크 전원 공급 시스템 | 새창보기 |
| [1020120049825] | 수용해성 접착제를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 전자소자 | 새창보기 |
| [1020120043977] | 플래쉬 램프를 이용한 그래핀 제조장치, 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 그래핀 | 새창보기 |
| [1020120025179] | ＬＣＰ를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110128460] | 플래쉬 램프 및 이온 임플란테이션 기술을 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 | 새창보기 |
| [1020110128459] | 레이저 및 이온 임플란테이션 기술을 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 | 새창보기 |
| [1020110112383] | 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020110103353] | 중성역학층을 이용한 플렉서블 고상 이차전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 고상 이차전지 | 새창보기 |
| [1020110100186] | 플렉서블 ＶＬＳＩ 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 ＶＬＳＩ 소자 | 새창보기 |
| [1020110100185] | 레이저 리프트오프를 이용한 플렉서블 박막 나노제너레이터 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 박막 나노제너레이터 | 새창보기 |
| [1020110092755] | 레이저 리프트-오프를 이용한 플렉서블 고상이차전지 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110089822] | 피부치료용 플렉서블 광소자 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 광소자 | 새창보기 |
| [1020110088045] | 플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자 | 새창보기 |
| [1020110087533] | 플렉서블 나노복합 제너레이터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110082437] | 생체용 나노제너레이터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110069203] | 플라스틱 나노제너레이터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110068830] | 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 | 새창보기 |
| [1020110062484] | 플래쉬 램프를 이용한 그래핀 제조장치, 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 그래핀 반도체 소자 | 새창보기 |
| [1020110045646] | 광유전학용 ＧａＮ ＬＥＤ 어레이 소자 제조방법, 이에 따라 제조된 ＧａＮ ＬＥＤ 어레이 소자 | 새창보기 |
| [1020100121453] | 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 | 새창보기 |
| [1020100091217] | 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 | 새창보기 |
| [1020090131478] | 습기 및 산소 배리어 기판 및 음식 포장재를 위한 플렉시블 박막 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020090128795] | 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자, 플렉서블 압전소자 및 커패시터 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전소자 및 커 | 새창보기 |
| [1020090126238] | 금속 전극 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020090123350] | 플라스틱 기판 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020090123339] | 그래핀 박막의 증착방법 | 새창보기 |
| [1020090120621] | 전이 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020090120620] | 반도체 소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020090112664] | 전자 잉크의 제조 방법, 이에 의해 형성된 전자잉크 및 이를 포함하는 전기영동 디스플레이 | 새창보기 |
| [1020090098243] | 반도체 소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020090095406] | 플렉서블 이차전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 이차전지 | 새창보기 |
| [1020090095404] | 플렉서블 압전 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전 소자 | 새창보기 |
| [1020090087458] | 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자 | 새창보기 |
| [1020090084037] | 솔리드형 방열 장치 | 새창보기 |
| [1020090072832] | ＬＥＤ 디스플레이 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 ＬＥＤ 디스플레이 | 새창보기 |
| [1020090061087] | 플렉서블 센서 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 센서 | 새창보기 |
| [1020090030267] | 강압 변환 시스템 및 그것의 강압 변환 방법 | 새창보기 |
| [1020090028882] | 전하 재활용을 이용한 반도체 메모리 장치 | 새창보기 |
| [1020080117467] | 포화알코올 분산매를 포함하는 폴리우레아 마이크로 캡슐의제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로캡슐 | 새창보기 |
| [1020080117461] | 전기유변유체 마이크로캡슐을 포함하는 투과도가변필름 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2015117076][한국과학기술원] | 수직형 트랜지스터 소자 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015111493][한국과학기술원] | 나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015118986][한국과학기술원] | 금속 절연체 전이를 이용한 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법 | 새창보기 |
| [KST2015115411][한국과학기술원] | 복층의 게이트 절연층을 구비한 그래핀 전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2015117722][한국과학기술원] | 수직 트랜지스터 소오스(또는 드레인)와 벌크 영역 내의 트랩 전하를 완전히 제거하기 위한 방법 | 새창보기 |
| [KST2015113263][한국과학기술원] | 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법 및 컨택홀을 포함하는 수직 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2015117237][한국과학기술원] | 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터 및 이의제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015119399][한국과학기술원] | Ultra-Thin FinFET 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 Ultra-Thin FinFET. | 새창보기 |
| [KST2015114266][한국과학기술원] | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015112353][한국과학기술원] | 쇼트키―장벽 트랜지스터의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2019024102][한국과학기술원] | 수직 집적 다층 전면-게이트 나노선 채널 기반의 디램 및 플래쉬 메모리의 선택적 동작이 가능한 융합 메모리 및 그 제작 방법 | 새창보기 |
| [KST2015116751][한국과학기술원] | 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014047126][한국과학기술원] | 레이저를 이용한 반도체 소자 제조방법, 이에 의햐여 제조된 그래핀 반도체 및 그래핀 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2015118327][한국과학기술원] | 실리콘 핀과 바디가 채널로 형성된 전계 효과트랜지스터의 제작 방법 및 그 구조 | 새창보기 |
| [KST2015114843][한국과학기술원] | 반도체 필라의 제조방법 및 반도체 필라가 구비된 전계효과트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2014065445][한국과학기술원] | 에스오엔 모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015112280][한국과학기술원] | 실리콘 채널 전면에 게이트가 형성된 3차원 전계 효과트랜지스터 제작 방법 및 그 구조 | 새창보기 |
| [KST2015116713][한국과학기술원] | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015114447][한국과학기술원] | 수직 구조를 갖는 독립적 및 대칭적인 이중 게이트 구조를 이용한 전자-정공 이중층 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015112314][한국과학기술원] | 분자소자와 바이오 센서를 위한 나노갭 또는 나노 전계효과 트랜지스터 제작방법 | 새창보기 |
| [KST2022017541][한국과학기술원] | 양극 접합이 삽입된 게이트 메모리 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015112588][한국과학기술원] | 고전력을 위한 내부전계전극을 갖는 갈륨나이트라이드기반의 고전자 이동도 트랜지스터 구조 | 새창보기 |
| [KST2015112276][한국과학기술원] | 둥근 실리콘 나노와이어를 이용한 다중 게이트 전계효과트랜지스터 제조 방법 및 그 구조 | 새창보기 |
| [KST2015117246][한국과학기술원] | 이층 구조로 된 핀 전계 효과 트랜지스터 및 씨모스인버터의 형성 방법 및 그 구조 | 새창보기 |
| [KST2015115362][한국과학기술원] | 비공유 기능화된 탄소나노튜브 및 그의 제조 방법, 상기 비공유 기능화된 탄소나노튜브를 이용한 복합체 및 상기 복합체를 이용한 유기박막트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2015115358][한국과학기술원] | 패턴 형성방법 및 이를 적용한 투명전극, 터치스크린, 태양전지, 마이크로 히터, 투명 박막 트랜지스터, 플렉서블 디스플레이 패널, 플렉서블 태양전지, 전자책, 박막 트랜지스터, 전자파 차폐시트, 플렉서블 인쇄회로기판 | 새창보기 |
| [KST2022020898][한국과학기술원] | 전기적 부유 상태를 이용한 벌크 실리콘 기판 상의 난수 발생기 | 새창보기 |
| [KST2022017545][한국과학기술원] | 3차원 게이트 올 어라운드 구조의 수평형 및 수직형 나노시트 채널을 갖는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015115211][한국과학기술원] | 물리 공극을 갖는 그래핀 소자 | 새창보기 |
| [KST2015119312][한국과학기술원] | 독립적으로 구동이 가능하고 다른 일함수를 가지는 이중 게이트 구조를 포함하는 전자-정공 이중층 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|