맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

자기 정렬된 탄소나노물질의 대면적 합성법

  • 기술번호 : KST2014051261
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 흑연나노판을 포함한 탄소나노물질(흑연나노판, 탄소나노튜브, 탄소나노막대, 탄소나노구)을 기판상에 자기정렬 증착할 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명은 기상화학증착(CVD) 다이아몬드 합성 조건에서, 직경 수 인치의 대면적 기판 직상에 탄소나노물질이 형성되는 가스화학을 자발적으로 형성시킴으로써, 자기 정렬된 탄소나노물질의 대면적 합성을 실현할 수 있다.탄소나노튜브, 흑연나노판, 탄소나노구, 다이아몬드, CVD
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/205 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020060129636 (2006.12.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0781289-0000 (2007.11.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.18)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울 노원구
2 존 필립 영국 영국 이에이치 ** *

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0937287-17
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2007.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0026908-84
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064821-44
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0620051-85
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 입자 형상의 모재를 적층하여 모재입자층을 형성하는 1단계;상기 모재입자층이 형성된 기판을 기상화학증착(CVD) 합성 용기 내에 장입한 후, 상기 용기 내에 수소 및 탄소를 포함하는 기체를 주입하고 활성화시킴으로써, 활성화된 기체와 접촉하는 상기 모재입자층의 상면에는 다이아몬드막을 증착하여 다이아몬드막/모재입자 복합체를 형성하고, 상기 다이아몬드막 아래의 기판상에는 탄소나노물질을 합성하는 2단계; 및상기 다이아몬드막/모재입자 복합체를 상기 탄소나노물질이 형성된 기판으로부터 열팽창계수 차이에 의해 분리하는 3단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 1단계 이전에, 미분의 다이아몬드가 분산된 용액에 상기 모재를 담그고, 초음파배쓰(ultra sonic bath)에서 일정 시간 동안 진동시켜 상기 모재 표면에 스크래치(scratch) 또는 잔류물을 형성시키는 전처리 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 1단계 이전에, 상기 기판상에 탄소나노물질의 촉매금속 막을 형성시키는 전처리 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 2단계에서 기체의 활성화는 플라즈마 또는 열 필라멘트(hot filament)에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 2단계에서 상기 CVD 합성 용기 내 압력은 40∼200 Torr이고, 상기 모재입자층 상면의 증착 온도는 600∼900 ℃인 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 3단계에서 상기 복합체의 상기 기판으로부터의 분리는 상기 2단계 후 냉각에 의해 저절로 일어나는 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노물질은 흑연나노판(graphite nanoflake), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 탄소나노구(carbon nanosphere), 또는 이들의 복합체인 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 입자 형상의 모재는 구상 또는 불규칙한 모양의 세라믹 또는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 모재로서 크기가 1㎚ ∼ 2㎜인 입자를 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 기판은 탄소, 세라믹 또는 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노물질의 합성방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07767275 US 미국 FAMILY
2 US20080213505 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008213505 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7767275 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.