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기판 상에 분산된 나노선과;상기 나노선 상에 형성된 자성체의 소스 영역;상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 나노선을 통과한 후, 스핀이 검출되는 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 드레인 영역을 포함하고,상기 자성체와 나노선 간의 접촉저항은 오믹(Ohmic) 또는 쇼트키(schottky)인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 자성체는 스핀분극이 큰 자성금속으로서 Fe, Co, Ni, FeCo, NiFe 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 자성체는 GaMnAs, InMnAs, GeMn, GaMnN, GaMnP, ZnMnO 의 자성반도체 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 자성체는 La(1-x)SRxMnO3 (LSMO), CrO2 등과 같이 스핀분극 100%의 반금속(half metal)인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 나노선은 지름 1 ~ 300 nm, 길이 0
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청구항 1에 있어서, 상기 나노선은 반도체로서 Si, Ge, GaAs, InAs, GaN, InSb, GaP, GaMnN, GaMnP, ZnO, ZnMnO 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 적용되는 소자의 형태에 따라 5 ~ 2000 nm 범위의 선폭을 가지며, 서로 선폭이 다르게 형성되어 스핀 스위칭이 일정 자계범위에서 반평행 되도록 하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 7에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 간격은 10 nm ~ 10 ㎛ 의 범위인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/나노선 스핀소자
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( 삭 제 )
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청구항 1에 있어서, 상기 자성체와 나노선 사이에 0
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청구항 1에 있어서, 상기 기판의 나노선 둘레에 절연막을 입혀 완전히 둘러싼 후 상기 상부에 사이드 게이트(side gate), 이중 게이트(double gate), 실린더형 게이트(cylindrical gate) 중 어느 하나의 형태로 게이트 전극을 형성하여 나노선 기반의 스핀분극 전계효과 트랜지스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자
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청구항 11에 있어서, 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 의해 기판의 나노선을 통해 이동하는 스핀분극된 캐리어의 세차운동을 제어하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자
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13
청구항 1에 있어서, 상기 기판 나노선 상의 소스와 드레인 영역에 이온주입(ion implantation)법을 이용하여 선택적으로 자성금속을 도핑하여 나노선 기반의 스핀분극 전계효과 트랜지스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자
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청구항 13에 있어서, 상기 나노선 기판의 스핀분극 전계효과 트랜지스터에서 기판 나노선을 합성하는 경우 자성금속을 소스와 드레인 영역에 다시 선택적으로 첨가하는 동시합성법(in-situ fabrication)을 이용하는 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자
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15
기판 위에 캐리어가 이동하는 채널 역할의 나노선을 형성하는 단계와;상기 나노선 채널 위에 자성체 또는 자성반도체의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 및 드레인 영역에 자기장을 가하면서 열처리하는 단계를 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 제조방법
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청구항 15에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 자성체의 장축 방향으로 0
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청구항 15에 있어서, 상기 자성체/반도체 나노선 스핀소자의 제작 전 나노선 표면에 산화물이나 불순물들을 제거하기 위해 프라즈마 애셔(Plasma asher)와 끓인 클로로폼(Chloroform)용액에서 세정하거나, 서로 엉켜있는 나노선을 잘 분산시키기 위해 IPA 용액에서 전처리 하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 제조방법
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