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저온소성 티탄산 바륨 유전체 및 그 제조방법과 상기 유전체를 이용한 유전체-전극 어셈블리

  • 기술번호 : KST2014051477
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 티탄산 바륨 분말에 BaO-B2O3-SiO2계 유리상의 소결 첨가제를 포함시킴으로써 900 ~ 1000℃의 저온에서 소결하면서도 치밀하고 유전특성이 높은 티탄산 바륨 유전체를 얻을 수 있다. 본 발명에 따른 고유전율 저온 소성 유전체는 MLCC 혹은 LTCC에서 소성 온도를 낮출 수 있어 공정비용을 줄일 수 있고, Pd, Ag-Pd계 고가의 전극 대신 Ag, Ni, Cu 등의 저렴한 전극 물질을 사용할 수 있어, 제조단가를 낮출 수 있다. 티탄산 바륨, 소결첨가제, 유리, 고유전율, 저온소성, 나노분말
Int. CL C01F 11/02 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) C01F 11/04 (2011.01) C01G 23/04 (2011.01)
CPC C04B 35/64(2013.01) C04B 35/64(2013.01) C04B 35/64(2013.01) C04B 35/64(2013.01)
출원번호/일자 1020050007779 (2005.01.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0616473-0000 (2006.08.21)
공개번호/일자 10-2006-0087042 (2006.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20060829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상균 대한민국 경기 수원시 영통구
2 전현표 대한민국 경기 용인시 구
3 김상우 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0050910-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.20 수리 (Accepted) 9-1-2006-0019653-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0240455-79
5 의견서
Written Opinion		 2006.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0439151-69
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0439153-50
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0443333-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
티탄산 바륨과, 소결첨가제로서 BaO-B2O3-SiO2계 유리를 1 중량% ~ 10 중량%의 범위로 포함하는 저온소성 고유전율 티탄산 바륨 유전체
2 2
제1항에 있어서, 상기 소결첨가제는 20-40 wt% BaO, 40-70 wt% B2O3, 10-30 wt% SiO2 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 저온소성 고유전율 티탄산 바륨 유전체
3 3
제1항 또는 제2항의 저온소성 고유전율 티탄산 바륨 유전체와, 상기 유전체에 결합되는 전극을 포함하며, 상기 전극은 Ag, Ni, Cu 중에서 선택되는 물질을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저온소성 고유전율 티탄산 바륨 유전체-전극 어셈블리
4 4
나노 크기의 티탄산 바륨 분말과, 소결첨가제로서 1 중량% ~ 10 중량%의 범위의 BaO-B2O3-SiO2계 유리 분말을 혼합하고; 상기 혼합된 분말을 소성하는 단계를 포함하는 저온소성 고유전율 티탄산 바륨 유전체 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 소성 온도는 900 ~ 1000℃의 범위인 것을 특징으로 하는 저온소성 고유전율 티탄산 바륨 유전체 제조방법
6 5
제4항에 있어서, 소성 온도는 900 ~ 1000℃의 범위인 것을 특징으로 하는 저온소성 고유전율 티탄산 바륨 유전체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.