맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는플래시 메모리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014054419
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 나노 결정체를 이용한 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조방법이 제시되어 있다. 본 발명의 방법에 의하면, 간편하게 SiO2 박막 내 금속 나노 결정체를 형성할 수 있으므로 우수한 소자 재현성과 신뢰성을 가지는 플래시 메모리 소자를 저비용으로 제작할 수 있다. 플래시 메모리 소자, ＳｉＯ₂, 금속 나노 결정체
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01)
출원번호/일자 1020060042299 (2006.05.11)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0736850-0000 (2007.07.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.11)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구
3 김재호 대한민국 서울특별시 동대문구
4 신재원 대한민국 대전광역시 동구
5 이정용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0329206-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000367-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0214232-85
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0446512-47
6 의견서
Written Opinion		 2007.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0446494-13
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0343980-00
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 실리콘 기판 위에 금속 산화물을 증착하는 단계; ii) 상기 금속 산화물이 증착된 실리콘 기판을 열처리하는 단계; 및iii) 상기 열처리된, 금속 산화물이 증착된 실리콘 기판에 전자빔을 조사하여 금속 나노 결정체를 형성하는 단계를 포함하는, 금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 i)의 금속 산화물은 ZnO, Cu2O, SnO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, Ga2O3, In2O3, CrO2 및 Fe2O3로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것인 금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물을 10nm 내지 100nm 두께로 증착하는 것인 금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 열처리 단계는 600oC 내지 900oC에서 수행되는 것인 금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 전자빔 조사 단계는 1시간 내지 2시간 동안 수행되는 것인 금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.