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향상된 전하 이동도를 가지는 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014060212
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 향상된 전하 이동도를 가지는 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 향상된 전하 이동도를 가지는 박막 트랜지스터는 캐리어 농도가 작은 보조 활성층의 하단 일부에 상기 보조 활성층의 캐리어 농도보다 큰 주 활성층을 포함하되, 상기 주 활성층의 길이는 채널 길이보다 짧은 값을 가짐으로써, 활성층 내에 형성되는 채널 영역의 주요부가 주 활성층 내에 형성되어 효율적으로 전하 이동도가 향상된다. 또한, 본 발명에 의한 향상된 전하 이동도를 가지는 박막 트랜지스터의 제조방법은, 게이트 절연막 상의 일부에 주 활성층을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막과 접촉하며, 상기 주 활성층의 전면을 감싸도록 보조 활성층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 활성층을 매립 구조로 형성하여 안정적인 구동 특성을 확보할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01)H01L 29/78696(2013.01)H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020120020328 (2012.02.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1249091-0000 (2013.03.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 광진구
2 김명주 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0163304-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0015807-74
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0188271-07
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0208002-90
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 일부에 형성되는 주 활성층; 상기 게이트 절연막 상에 형성되며, 상기 주 활성층의 전면을 감싸도록 형성된 보조 활성층; 및상기 보조 활성층의 양단과 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 주 활성층의 캐리어 농도는 상기 보조 활성층의 캐리어 농도보다 크고, 주 활성층의 길이는 채널 길이보다 짧은 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 주 활성층은 도전 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서,상기 주 활성층은 금속 또는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서,상기 금속은 Mo, Ni 및 Al 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
5 5
제3항에 있어서,상기 금속 산화물은 ITO를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서,상기 보조 활성층은 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
제6항에 있어서,상기 보조 활성층은 인듐, 갈륨 및 아연 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
8 8
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상의 일부에 주 활성층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막과 접촉하며, 상기 주 활성층의 전면을 감싸도록 보조 활성층을 형성하는 단계; 및상기 보조 활성층의 양단과 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 주 활성층은 상기 보조 활성층의 캐리어 농도보다 큰 물질로 형성되며, 상기 주 활성층의 길이는 채널 길이보다 짧게 형성되는 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 주 활성층은 도전 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
제8항에 있어서,상기 보조 활성층은 산화물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 국민대학교산학협력단 선도연구센터육성사업 자기조립소재공정연구센터