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비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015142340
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막을 황(S)으로 페시베이션(passivation)하여, 터널막을 형성하는 단계, 상기 터널막 상에 전하 트랩막을 형성하는 단계, 및 상기 전하 트랩막 상에 게이트 도전막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 27/11563(2013.01)
출원번호/일자 1020140032925 (2014.03.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1528421-0000 (2015.06.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박인성 대한민국 서울특별시 강남구
2 이명완 대한민국 서울 광진구
3 정용찬 대한민국 서울 관악구
4 성세종 대한민국 서울 성동구
5 안진호 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0270057-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0009515-20
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0118835-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0396390-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0396406-75
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0339510-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 황(S)으로 페시베이션(passivation)하여, 상기 절연막보다 댕글링 본드가 감소된 터널막을 형성하는 단계;상기 터널막 상에 전하 트랩막을 형성하는 단계; 및상기 전하 트랩막 상에 게이트 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 절연막을 황(S)으로 페시베이션하는 것은, 상기 기판의 상기 절연막에 황(S)을 포함하는 용액을 제공하는 것을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 절연막을 황(S)으로 페시베이션하는 것은, 상기 기판 상의 상기 절연막에 황(S)을 포함하는 가스를 제공하는 것을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 게이트 도전막을 형성하기 전, 상기 전하 트랩막 상에 블록킹막을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 절연막은 상기 기판이 자연 산화되어 생성된 자연 산화막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 터널막을 형성하는 단계는, 상기 기판이 자연 산화되어, 상기 기판 상에 제1 자연 산화막이 형성되는 단계;상기 제1 자연 산화막을 제거하는 단계;상기 기판이 다시 자연 산화되어, 상기 기판 상에 제2 자연 산화막이 형성되는 단계; 및상기 제2 자연 산화막을 황(S)으로 페시베이션하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제1 항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘보다 높은 전자 또는 홀 이동도를 갖는 것을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교산학협력단 기술혁신사업 / 산업융합원천기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업 고성능 반도체 소자용 차세대 기판 기술