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침상형 구조를 갖는 질화알루미늄 단결정 나노막대의제조방법

  • 기술번호 : KST2014062552
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 침상형 구조를 갖는 질화알루미늄 단결정 나노막대의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 알루미늄(Al) 금속 분말과 염화수소(HCl)기체를 질소(N2)기체 분위기에서 반응하여 알루미늄염화물(AlClx)기체를 형성시키면서 동시에 상기 AlClx 기체와 암모니아(NH3)기체와 반응하여 AlN을 형성하는 염화물 기상 에피택셜법 수행 시, 상기 온도 및 시간 등의 반응조건, 염화수소기체(HCl)와 암모니아 기체(NH3)의 분압 및 알루미늄 금속 분말과 기판의 위치를 특정범위로 조절하여 고밀도의 균일한 단결정이면서 동시에 침상형 구조를 가져 차세대 디스플레이 및 나노포토닉(nano photonic), 특히 전계방출 표시 소자의 에미터에 유용하게 사용되는 침상형 구조를 갖는 질화알루미늄 단결정 나노막대의 제조방법에 관한 것이다.질화알루미늄, 나노막대, 염화물 기상 에피택셜법, 침상형, 전계방출 디스플레이, 에미터
Int. CL C30B 29/38 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C30B 29/38(2013.01) C30B 29/38(2013.01) C30B 29/38(2013.01)
출원번호/일자 1020060113648 (2006.11.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0826305-0000 (2008.04.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변윤기 대한민국 서울 성북구
2 한경섭 대한민국 서울 서초구
3 박재관 대한민국 서울 노원구
4 박재환 대한민국 서울 마포구
5 김동완 대한민국 서울 금천구
6 최경진 대한민국 서울 중랑구
7 최영진 대한민국 서울 용산구
8 안명원 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0841401-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0037240-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0467212-38
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0776698-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0852213-68
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0894288-44
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0894292-27
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0208298-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 석영관(350) 내에, 기판(120), 알루미늄 금속 분말(310), 염화수소 기체/질소 주입부(321), 암모니아 기체/질소 주입부(322) 및 내부 석영관(340)이 구성된 장치를 이용하여, 질소기류하에서, 알루미늄 금속, 염화수소 기체 및 암모니아 기체를 680 ∼ 720 ℃에서 10 ∼ 30 분 동안 동시에 반응시키되,상기 내부 석영관(340) 내부에 알루미늄 금속 분말이 위치하고, 상기 염화수소 기체/질소는 내부 석영관(340) 내부로 유입되고, 암모니아 기체/질소는 반응 석영관(350) 내부로 유입되고, 상기 유입되는 기체의 부피비가 HCl/NH3는 0
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 내부석영관의 길이는 반응석영관에 대하여 40 ∼ 60 길이%이고, 내부석영관의 내부지름은 반응석영관 내부지름에 대하여 2 ∼ 3 길이%인 것을 특징으로 하는 침상형 질화알루미늄 단결정 나노막대의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄 금속 분말(310)은 내부석영관(340)의 출구를 기준으로 전체 내부석영관 길이에 대하여 3 ∼ 10 길이% 범위의 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 단결정 나노막대의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제조된 질화알루미늄 단결정 나노막대는 직경이 20 ∼ 50 ㎚이고, 길이가 1 ∼ 2 ㎛이며, 침상형(needle)인 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 단결정 나노막대의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제조된 질화알루미늄 단결정 나노막대는 기판과 내부석영관이 접촉면 기준으로 출구방향으로 형성된 기판 길이에 대하여 1/3 ∼ 2/3 범위에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 단결정 나노막대의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 기판(120)은 실리콘웨이퍼 또는 실리콘카바이드 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 단결정 나노막대의 제조방법
8 8
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9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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