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이중 도파로 구조의 전계흡수형 광 변조기에 있어서,광변조가 일어나는 제1 광 도파로 및 광섬유와의 광결합을 용이하게 하는 제2 광 도파로와,상기 제1 및 제2 광 도파로 사이에 위치하여 광 모드를 변화 및 이동시키는 제1 및 제2 광 모드 변환기를 포함하며,상기 제2 광 모드 변환기는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 광 도파로는 릿지(ridge) 구조이며, 이의 너비는 3 ㎛ 내지 6 ㎛ 이고 두께는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 광 도파로는 굴절률이 높은층과 낮은층의 주기적 적층구조를 이루며, 그 주기는 2 내지 4 주기인 이중 도파로 광 모드 변환기를 포함하는 전계흡수형 광 변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 광 모드 변환기는 밴드갭이 광파장 1
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제 1 항에 있어서,상기 제2 광 모드 변환기의 도파로 너비는 상기 제1 광 모드 변환기의 도파로 너비와 동일하거나, 상기 제1 광 모드 변환기의 도파로 너비 보다 1 ㎛ 내지 3 ㎛ 더 큰 것을 특징으로 하는 이중 도파로 광 모드 변환기를 포함하는 전계흡수형 광 변조기
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제 6 항에 있어서, 상기 제2 광 모드 변환기는 상기 제1 광 도파로가 끝나는 부분부터 시작되며, 제1 광 모드 변환기가 끝나는 부분부터 테이퍼가 형성되는 이중 도파로 광 모드 변환기를 포함하는 전계흡수형 광 변조기
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제 1 항에 있어서, 제1 광 모드 변환기 및 제2 광 모드 변환기 사이에 스페이서층을 추가적으로 포함하는 이중 도파로 광 모드 변환기를 포함하는 전계흡수형 광 변조기
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제 8 항에 있어서,상기 스페이서층은 InP 을 포함하며, 이의 두께는 0
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이중 도파로 구조의 전계흡수형 광 변조기를 제조하는 방법에 있어서,제1 반도체층을 포함하는 제1 광 모드 변환기 및 제2 반도체층을 포함하는 제2 광 모드 변환기를 적층구조로 형성하는 단계와,상기 제1 반도체층 상부에 일부 영역이 중첩된 제1 및 제2 마스크 층을 마스크로하여 반응성 이온식각 및 선택적 습식식각을 이용하여 식각하여 예각의 팁을 가진 제1 광 모드 변환기를 형성하는 단계와,상기 제2 반도체층 상부에 일부 영역이 중첩된 제3 및 제4 마스크 층을 마스크로 하여 반응성 이온식각 및 선택적 습식식각을 이용하여 식각하여 0
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제 10 항에 있어서,상기 선택적 습식식각은 H2PO4 및 H2O2 를 포함하는 식각액으로 식각하는 이중 도파로 광 모드 변환기를 포함하는 전계흡수형 광 변조기의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 적층구조는 에피구조인 이중 도파로 광 모드 변환기를 포함하는 전계흡수형 광 변조기의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 적층구조는 에피구조인 이중 도파로 광 모드 변환기를 포함하는 전계흡수형 광 변조기의 제조방법
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