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고분자 소재로 이루어지며 광자결정 도파로를 구비하는 코어; 상기 코어의 상부 및 하부에 위치하는 상부 클래드층 및 하부 클래드층; 및상기 코어 내에 형성되며 선결함을 구비한 소정 패턴의 다수의 공기홀을 포함하는 광자띠간격 격자 구조를 포함하되,상기 상부 클래드층 및 하부 클래드층은 상부 및 하부 공기층, 상부 공기층과 상기 고분자 소재의 굴절률보다 낮은 저굴절률의 하부 고분자막, 및 상기 저굴절율의 상부 고분자막과 상기 저굴절율의 하부 고분자막 중 어느 한 쌍의 클래드층으로 이루어지는 고분자 2차원 광자결정 소자
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제 4 항에 있어서,상기 공기홀은 상기 저굴절률 고분자에 의해 채워지는 고분자 2차원 광자결정 소자
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 코어의 두께/높이는 상기 공기홀 중심 간의 간격의 0
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 광자띠간격 격자 구조는 삼각형 격자 배열을 포함하는 고분자 2차원 광자 결정 소자
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 고분자 소재는 굴절률이 1
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 공기홀의 직경과 상기 공기홀 중심 간의 간격의 비는 55% 이하인 고분자 2차원 광자결정 소자
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제 9 항에 있어서,상기 공기홀의 직경과 상기 공기홀 중심 간의 간격의 비는 상기 광자띠간격 격자 구조 전체 패턴의 크기, 상기 패턴의 밀도 및 임프린팅을 위한 스탬프의 크기에 따라 변하는 고분자 2차원 광자결정 소자
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기판 상에 고분자 소재의 코어층을 형성하는 단계; 상기 코어층을 스탬프 또는 몰드로 패터닝하여 선결함을 갖고 다수의 공기홀을 형성하는 광자띠간격 격자 구조를 형성하는 단계; 및상기 기판의 실리콘 산화막을 식각하여 공기층을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법
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제 13 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판 상에 형성된 또 다른 고분자 소재층을 포함하며,상기 또 다른 고분자 소재층을 식각하여 공기층을 형성하는 단계를 더 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법
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제 13 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판 상에 형성된 저굴절률의 또 다른 고분자 소재층을 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법
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제 15 항에 있어서,상기 다수의 공기홀에 상기 저굴절률 고분자 소재를 채우고, 상기 구조 상에 상기 저굴절률 고분자 소재의 또 다른 고분자 소재층을 추가적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법
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제 13 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판이며,상기 유리 기판을 식각하여 상기 유리 기판과 상기 코어층 사이에 공기층을 형성하는 단계를 더 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법
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제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자 소재는 굴절률이 1
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제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코어층의 두께/높이는 상기 공기홀 중심 간의 간격의 0
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제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광자띠간격 격자 구조를 형성하는 단계는 상기 공기홀의 직경과 상기 공기홀 중심 간의 간격의 비를 55% 이하로 조절하는 단계를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법
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제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광자띠간격 격자 구조를 형성하는 단계는 상기 광자띠간격 격자 구조 전체 패턴의 크기, 상기 패턴의 밀도 및 임프린팅을 위한 스탬프 또는 몰드의 크기에 따라 상기 공기홀의 직경과 상기 공기홀 중심 간의 간격의 비를 조절하는 단계를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법
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