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반사형 광변조기

  • 기술번호 : KST2015082551
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반사형 광변조기에 관한 것으로, 본 반사형 광변조기는 기판 상에 형성된 흡수층을 포함하는 도파로; 상기 도파로의 일측면에 형성된 무반사 박막; 및 상기 도파로의 다른 일측면에 형성된 고반사 박막을 포함한다. 또한, 본 반사형 광변조기는 광 입출력을 위해 상기 무반사 박막과 인접한 영역에 형성되는 렌즈형 광섬유를 더 포함한다. 이에 따라, 전계 흡수형 광변조기의 입출력 면에 무반사 박막을 형성하고 그 타측면에 고반사 박막을 형성함으로써, 짧은 흡수층의 길이로 충분한 소광비를 얻을 수 있을 뿐 아니라, 광 입출력을 위한 광 섬유를 하나만 설치함으로써 제조비용을 절감할 수 있다.반사형, 광변조기, 고 반사 박막, 무반사 박막
Int. CL G02B 6/12 (2006.01) G02B 26/00 (2006.01)
CPC G02B 26/0808(2013.01)G02B 26/0808(2013.01)G02B 26/0808(2013.01)G02B 26/0808(2013.01)G02B 26/0808(2013.01)G02B 26/0808(2013.01)
출원번호/일자 1020070057091 (2007.06.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0052235 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060123148   |   2006.12.06
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정용덕 대한민국 대전 서구
2 최광성 대한민국 서울 성북구
3 심재식 대한민국 대전 유성구
4 김제하 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0423698-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034078-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0605331-02
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0047525-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0047514-15
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0228718-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 흡수층을 포함하는 도파로;상기 도파로의 일측면에 형성된 무반사 박막; 및 상기 도파로의 다른 일측면에 형성된 고반사 박막을 포함하는 반사형 광변조기
2 2
제1항에 있어서,상기 무반사 박막과 인접한 영역에 광 입출력을 위해 형성되는 렌즈형 광섬유를 더 포함하는 반사형 광변조기
3 3
제1항에 있어서, 상기 무반사 박막은 TiO2와 SiO2를 이용하고, 상기 고반사 박막은 SiO2와 Si를 이용하는 반사형 광변조기
4 4
제3항에 있어서,상기 무반사 박막은 99% 내지 100% 범위의 반사율을 가지며, 상기 고반사 박막은 0% 내지 1% 범위의 반사율을 갖는 반사형 광변조기
5 5
제1항에 있어서, 상기 도파로는상기 기판 상에 형성된 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성된 상기 흡수층; 및 상기 흡수층 상에 형성된 제2 클래드층을 포함하는 반사형 광변조기
6 6
제5항에 있어서,상기 흡수층은 InGaAsP/InGaAsP 다층 양자 우물 구조로 50 ~ 100㎛의 길이를 갖는 반사형 광변조기
7 7
제5항에 있어서,상기 도파로의 길이는 50 ~ 100㎛인 반사형 광변조기
8 8
제1항에 있어서,전원을 입력하기 위해 상기 도파로 상부에 형성된 적어도 하나의 전극을 더 포함하는 반사형 광변조기
9 9
제8항에 있어서, 상기 전극에는 진행파형 전원이 입력되는 반사형 광변조기
10 10
제1항에 있어서,상기 기판은 반절연성 기판인 반사형 광변조기
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20080137178 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008137178 US 미국 DOCDBFAMILY
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